Além disso, os novos dispositivos oferecem também um desempenho melhorado nos modos Avalanche e Linear, resultando numa maior robustez e fiabilidade.
Neil Massey, Product Marketing Manager da Nexperia, comenta: “Os novos MOSFETs LFPAK88 de 8 x 8 mm combinam a mais recente tecnologia de silício superjunção de alto desempenho com a nossa comprovada tecnologia de clipe de cobre LFPAK, conhecida por oferecer vantagens significativas em termos de desempenho elétrico e térmico. O baixo RDS resultante permite-nos compactar mais silício no encapsulamento, melhorando a densidade de potência e reduzindo a área ocupada pelo dispositivo.”
Medindo apenas 8 x 8 x 1,7 mm, os novos MOSFET de potência também apresentam características de modo Linear/Área de Operação Segura (SOA) líderes de mercado para uma comutação segura e fiável em condições de alta corrente. A corrente de saída (SOA) em condições de funcionamento de 1 ms e 20 VDS é de 35 A devido à combinação de silício e encapsulamento, enquanto que a 10 ms e 20 VDS, onde predomina o encapsulamento, a SOA é de 17 A. Estes valores são 1,5 a 2 vezes melhores do que os da concorrência. Os dispositivos também oferecem a melhor classificação de Avalanche de Pulso Único (EAS) de 2,3 J e uma classificação de corrente de isolamento (ID) muito elevada de 500 A, que — ao contrário de alguns dispositivos concorrentes — é um limite medido, e não teórico.
As vantagens de tamanho e desempenho oferecidas pelos MOSFET LFPAK88 de 8 x 8 mm da Nexperia permitem aos designers substituir dois componentes antigos em paralelo por um único LFPAK88, simplificando o fabrico e aumentando a fiabilidade. Os componentes BUK7S0R5-40H, com classificação AEC-Q101 e oferecendo mais do dobro da fiabilidade do padrão automóvel, são adequados para aplicações em travagem, direção assistida, proteção contra inversão de polaridade da bateria, fusíveis eletrónicos, conversores CC-CC e controlo de motores. Os MOSFET industriais PSMNR55-40SSH são adequados para o isolamento de baterias, limitação de corrente, fusíveis eletrónicos, controlo de motores, retificação síncrona e comutação de carga em ferramentas elétricas, eletrodomésticos, ventiladores e bicicletas, scooters e cadeiras de rodas elétricas.
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- Categoria: Circuitos Integrados
MOSFETs Nexperia de 40V com baixa RDS(on) e a maior densidade de potência para aplicações industriais e automóveis
A Nexperia anunciou hoje novos MOSFET de potência de 40 V com RDS(on) , no encapsulamento LFPAK88 de alta fiabilidade, para aplicações automóvel (BUK7S0R5-40H) e industrial (PSMNR55-40SSH). Estes dispositivos são os componentes de 40 V com o RDS(on) mais baixo alguma vez fabricados pela Nexperia e, mais importante, oferecem densidades de potência mais de 50 vezes superiores às dos dispositivos D2PAK tradicionais.
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