Nos últimos anos, a crescente tendência para a conservação de energia em todos os setores aumentou a procura de semicondutores de potência energeticamente eficientes, principalmente para aplicações industriais como inversores de uso geral e equipamentos de fabrico. A maioria das fontes de alimentação auxiliares, que fornecem tensões de accionamento para circuitos de alimentação, circuitos integrados de controlo e diversos sistemas complementares, utiliza MOSFET de silício com uma elevada tensão de ruptura (superior a 1000 V). No entanto, estes MOSFET de alta tensão apresentam perdas significativas por condução (gerando frequentemente calor excessivo) e desafios relacionados com os requisitos de área superficial e o número de componentes externos, dificultando a miniaturização do sistema. Em resposta, a ROHM desenvolveu MOSFETs de SiC de baixa perda e circuitos integrados de controlo que maximizam o desempenho e contribuem para a miniaturização do produto final.
O SCT2H12NZ oferece a elevada tensão de rutura exigida pelas fontes de alimentação auxiliares em equipamentos industriais. As perdas por condução são reduzidas num fator de 8 em comparação com os MOSFETs de silício convencionais, aumentando assim a eficiência energética. Além disso, quando combinado com o circuito integrado de controlo do conversor CA/CC especialmente concebido pela ROHM para acionar MOSFETs de SiC (BD7682FJ-LB), o desempenho pode ser maximizado e a eficiência melhorada até 6%. Isto permite a utilização de componentes periféricos mais pequenos, melhorando ainda mais a miniaturização.
Características Principais
1. Otimizado para Fontes de Alimentação Auxiliares em Equipamentos Industriais
Comparativamente aos MOSFETs de silício de 1500V utilizados em fontes de alimentação auxiliares para equipamentos industriais, o SCT2H12NZ oferece uma tensão de rutura mais elevada (1700V) com uma resistência de condução 8 vezes inferior (1,15Ω). Além disso, o seu encapsulamento compacto TO-3PFM mantém a distância de fuga (distância medida ao longo da superfície do material isolante) exigida pelos equipamentos industriais. A ROHM também oferece uma versão para montagem em superfície (TO268-2L) que proporciona a distância de fuga adequada.
2. Eficiência melhorada quando combinado com o CI dedicado da ROHM.
A utilização deste novo MOSFET de SiC em conjunto com o CI de controlo do conversor CA/CC da ROHM (BD7682FJ-LB), concebido especificamente para acionamentos de MOSFET de SiC, irá maximizar o desempenho e aumentar a eficiência até 6%. A geração de calor também será reduzida, minimizando as medidas de dissipação térmica e permitindo a utilização de componentes mais pequenos.
3. Avaliação facilitada com a placa de avaliação da ROHM para dispositivos SiC.
Como fabricante de semicondutores completo, a ROHM oferece uma vasta gama de circuitos integrados otimizados para diversos dispositivos SiC. A ROHM disponibiliza também placas e kits de avaliação que permitem uma avaliação e desenvolvimento imediatos. Para além do BD7682FJ-LB-EVK-402, está disponível uma placa de acionamento de gate para avaliação do módulo SiC completo da ROHM, bem como um módulo de amortecimento. Mais informações estão disponíveis na página de suporte dedicada da ROHM.
Aplicações:
Fontes de alimentação auxiliares para equipamentos industriais de alta tensão (400 VCA), tais como automação industrial (robôs), inversores solares e industriais e dispositivos de fabrico/teste.
