Esta conquista é o resultado de mais de um ano de design focado e otimização de processos na plataforma Process Design Kit (PDK) da OpenLight, em colaboração com a Tower Semiconductor. Como resultado, a OpenLight obteve avanços significativos na sua tecnologia EAM de 448G, demonstrando uma largura de banda diferencial de 3 dB próxima dos 100 GHz e uma taxa de extinção (ER) superior a 3,5 dB a 2,0 volts diferenciais. Estes resultados permitem um desempenho robusto a taxas de dados de terabit, mantendo a eficiência energética e a facilidade de fabrico. Esta solução PIC altamente integrada é ideal não só para aplicações em módulos e transceptores, mas também para os setores emergentes da ótica co-embalada (CPO) e da ótica quase-embalada (NPO), onde a eficiência energética, o desempenho térmico e a simplicidade de encapsulamento são cruciais.
Os PIC DR8 de 3,2T da OpenLight, habilitados pela tecnologia EAM 448G de alta largura de banda e baixa tensão de ativação, eliminam a necessidade de fontes de laser de onda contínua (CW) acopladas externamente e simplificam significativamente os requisitos de encapsulamento. Atingindo uma eficiência de acoplamento de aproximadamente 90% entre os elementos ativos e o guia de onda de silício, juntamente com a baixa tensão de ativação de 2V do EAM de InP, a OpenLight oferece uma solução extremamente eficiente em termos energéticos. Em funcionamento pleno de 3,2T, a dissipação de energia do PIC é inferior a 2W a 80°C, correspondendo a aproximadamente 0,63 pJ/bit, representando uma melhoria substancial da eficiência térmica em relação aos projetos da geração anterior.
Com base nesta plataforma, a OpenLight apresenta o PIC DR8 de 3,2T como uma extensão da mesma arquitetura utilizada no seu PIC DR8 de 1,6T. Isto possibilita uma abordagem de design consistente e escalável em todas as gerações de taxas de dados e permite aos clientes tirar partido de uma plataforma comum para implementações rápidas e perfeitas de 1,6T a 3,2T. Todos os componentes ativos da plataforma PH18DA, incluindo os utilizados no PIC DR8 de 3,2T, foram qualificados de forma independente de acordo com a norma Telcordia GR-468, proporcionando maior segurança para a implementação em data centers de alta fiabilidade.
“Estamos muito entusiasmados por oferecer aos nossos clientes uma solução de 3,2T graças à nossa sólida colaboração com a OpenLight”, afirma o Dr. Ed Preisler, Vice-Presidente e Director Geral da Unidade de Negócios de RF da Tower Semiconductor. “Olhando para o futuro, vemos um grande potencial para a nossa tecnologia PH18DA expandir o nosso mercado, integrando lasers, EAMs e outros componentes de InP na nossa plataforma de fotónica de silício.”
“O PIC DR8 de 3,2T com EAMs de 448G oferece benefícios claros em termos de eficiência energética, custo e tempo de produção”, disse o Dr. Adam Carter, CEO da OpenLight. “O desempenho superior dos nossos EAM de 448G permite um caminho escalável direto para que os nossos clientes migrem de 1,6T para 3,2T e para 400G por canal, sendo ideal não só para aplicações de módulos e transcetores DR8 e FR4, mas também para aplicações emergentes de CPO e NPO.”
Estas melhorias na plataforma também possibilitaram o progresso contínuo do PIC DR8 de 1,6T da OpenLight, com os dispositivos EAM de 224G agora em fase beta de amostragem, oferecendo variantes LRO e LPO. A OpenLight recebeu encomendas de importantes fabricantes de transceptores para apoiar programas de montagem e qualificação, refletindo a crescente adoção por parte dos clientes à medida que os projetos avançam para a produção.
As amostras alfa da plataforma 3.2T DR8 já estão disponíveis, com wafers disponíveis de imediato e uma placa de avaliação com modulador 448G integrado e driver via flip-chip prevista para o final de março de 2026. As amostras beta da 3.2T DR8 para qualificação de módulos e transceptores deverão estar disponíveis no quarto trimestre de 2026.
