Em comparação com o TO-263-3L tradicional, a área de contacto é 20% inferior e a altura é 45% inferior. Esta redução da área de contacto melhora a densidade de potência, tornando-o adequado para projetos de terminais muito compactos. A excelente resistência térmica contribui para uma melhor dissipação de calor, garantindo a fiabilidade dos dispositivos a longo prazo.
Em resposta à crescente procura dos clientes por um elevado desempenho, a JieJie Microelectronics lançou as séries de transístores JSFET® de canal N JMSH1001ATL (VDS_MIN=100V) e JMSH1504ATL (VDS_MIN=150V), que incorporam direitos de propriedade intelectual independentes; ambos são concebidos com o avançado encapsulamento PowerJE® 10x12. Quando VGS=10V, as medições de RDS(ON)_Typ e FOM dos dispositivos são de 1,3mΩ / 202 (JMSH1001ATL) e 3,3mΩ / 290 (JMSH1504ATL), respetivamente. Em termos de propriedades elétricas, o JMSH1001ATL supera a concorrência na China e é comparável a produtos similares na Europa, Estados Unidos e Japão. Além disso, a funcionalidade de modelo linear/área de operação segura (SOA) permite que os dispositivos operem de forma segura e fiável mesmo sob condições de elevada corrente. A resistência extremamente baixa contribui para melhorar a eficiência operacional, reduzir os custos do sistema e prolongar a vida útil do dispositivo. Ambos os produtos têm uma vasta aplicação em ferramentas elétricas, veículos elétricos ligeiros, inversores para armazenamento de energia fotovoltaica, comunicações 5G e PoE++ e outros terminais.
Nick Zhang, responsável pela unidade de negócio automóvel da JieJie Microelectronics, afirmou: “Equipado com chips concebidos pela equipa de investigação e desenvolvimento da JieJie Microelectronics, fabricados em instalações com certificação IATF 16949 e submetidos a testes de montagem PowerJE® 10x12 no sistema automóvel avançado da JieJie Microelectronics, o JMSH1001ATL apresenta propriedades elétricas comparáveis às de produtos de fabricantes líderes internacionais de semicondutores IDM, contribuindo para o avanço da localização de alta qualidade de produtos similares. Com uma excelente condutividade térmica e baixa indutância parasita da embalagem, este dispositivo foi concebido para suportar até 411 A de corrente, tornando-o ideal para aplicações com requisitos rigorosos de espaço na lista de materiais (BOM), desempenho elétrico e fiabilidade do dispositivo a longo prazo.”
Ambos os produtos estão em produção em massa. As amostras estão disponíveis no Departamento de Vendas da JJM, agentes autorizados ou canais de venda relacionados. Informações como especificações do produto e dados de projeto de circuitos auxiliares, incluindo POD (Package Schematic Drawing), modelos de simulação H-Spice e P-Spice, podem ser visualizadas ou descarregadas diretamente do site oficial: POD (Package Schematic Drawing).
