O SCH2080KE é o primeiro módulo de potência SiC a integrar com sucesso um díodo Schottky de silício (SBD) num único encapsulamento. A tensão direta (VF) é reduzida em 70% ou mais, resultando numa menor perda de potência e menos componentes.
Os SiIGBTs normalmente utilizados em inversores e conversores de 1200 V causam perda de potência de comutação devido à corrente de cauda ou à recuperação do FRD externo, exigindo, portanto, um módulo de potência de SiC capaz de operar com baixa perda de comutação a altas frequências. No entanto, os módulos de potência de SiC convencionais apresentavam problemas de fiabilidade, incluindo degradação das características devido à condução no corpo do díodo (por exemplo, aumento da resistência ON, da tensão direta e da degradação da resistência) e falhas na película de óxido da porta, o que impossibilitava a integração em larga escala.
A ROHM conseguiu ultrapassar estes problemas melhorando os processos relacionados com defeitos na estrutura do cristal e do dispositivo e reduzindo a resistência ON por unidade de área em aproximadamente 30% em comparação com os produtos convencionais, resultando numa maior miniaturização.
A ROHM conseguiu também integrar um díodo Schottky de silício (SiC SBD) (que anteriormente tinha de ser montado externamente) no mesmo encapsulamento, utilizando a sua tecnologia de montagem patenteada. Isto minimiza a tensão direta, que era problemática nos díodos dos módulos de potência de SiC anteriores. Como resultado, o SCH2080KE reduz a perda de potência operacional em 70% ou mais em comparação com os IGBTs de silício utilizados nos conversores comuns. Isto não só proporciona menores perdas de comutação, como também permite a compatibilidade com componentes periféricos mais pequenos, suportando frequências acima dos 50 kHz.
A ROHM também oferece o SCT2080KE, um módulo de potência SiC sem um díodo Schottky de silício (SBD) interno. Tanto o SCH20801KE como o SCT2080KE podem ser configurados para satisfazer as necessidades do cliente.
