Os FET de SiC UF4C/SC da Mouser Electronics oferecem aos designers uma variedade de opções de resistência de condução e de encapsulamento. Estes FET de SiC de 1200 V estão disponíveis em versões com resistência de condução (RDS(on)) que varia entre 23 a 70 mΩ e em encapsulamentos TO-247-3L de três terminais ou TO-247-4L de quatro terminais. O encapsulamento TO-247-4L incorpora um gate Kelvin para proporcionar um carregamento de gate ultrabaixo e características de recuperação inversa excecionais, permitindo aos projetistas comutar cargas indutivas e qualquer aplicação que exija o acionamento de gate padrão.
Todos os dispositivos da família UF4C/SC podem ser acionados em segurança com uma tensão de acionamento de porta padrão de 0 a 12 ou 15 V, tornando-os adequados para substituir IGBTs, FETs ou dispositivos de superjunção de silício sem alterar a tensão de acionamento da porta. Outras características notáveis dos FETs de SiC UF4C/SC incluem uma margem de ruído de limiar excecional, mantida com uma tensão de limiar real de 5 V, uma excelente recuperação inversa e um circuito de proteção ESD integrado na porta.
