Os circuitos integrados de comutação de RF, fabricados utilizando o novo processo TaRF8 como o novo processo SP12T [1] , conseguem a menor perda de inserção [2] da sua classe [3] na indústria. Os envios de amostras de circuitos integrados de comutação RF SP12T fabricados com o novo processo terão início em janeiro de 2016.
Concebido para utilização em smartphones, o circuito integrado de comutação RF SP12T apresenta um controlador MIPI-RFFE integrado [4] para aplicações móveis. O dispositivo é adequado para utilização em dispositivos compatíveis com as normas 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE e LTE-Advanced [5].
Os produtos que utilizam o novo processo frontal TaRF8 SOI CMOS [6] conseguem a menor perda de inserção da sua classe na indústria, com 0,32 dB a 2,7 GHz. Comparativamente com os produtos que utilizam o actual processo TaRF6 da Toshiba, a perda de inserção melhora em 0,1 dB, mantendo o mesmo nível de características de distorção.
Com a tendência crescente de transferências de dados a alta velocidade nas comunicações móveis, a necessidade de transferências de dados de alta capacidade e os circuitos de comutação de RF integrados utilizados em dispositivos móveis e smartphones exigem suporte de múltiplas portas e um desempenho de RF melhorado. A redução da perda de inserção é reconhecida como um fator particularmente importante neste contexto, uma vez que diminui a perda de potência de transmissão de RF, o que pode prolongar a duração da bateria dos dispositivos móveis.
A Toshiba está a desenvolver circuitos integrados de comutação RF de alto desempenho, utilizando fabrico próprio e aplicando a tecnologia CMOS SOI, adequada para a integração de circuitos analógicos e digitais. Ao gerir todos os aspetos do fluxo de produção, desde o desenvolvimento da tecnologia de processo de RF até ao design e fabrico de chips de comutação de RF, a Toshiba consegue melhorar rapidamente a sua tecnologia de processo CMOS SOI com base no feedback do desenvolvimento dos seus próprios circuitos integrados de comutação de RF. Esta abordagem de Fabricante de Dispositivos Integrados (IDM) permite à Toshiba estabelecer rapidamente novas tecnologias de processo adaptadas aos produtos atuais e entrar no mercado com produtos fabricados utilizando a mais recente tecnologia de processo.
A Toshiba continuará a melhorar o desempenho da sua tecnologia de processo TarfSOI e a trabalhar para satisfazer as necessidades dos clientes e do mercado em circuitos integrados de comutação de RF, introduzindo produtos com tecnologia de próxima geração antes de outros fabricantes.
Notas:
[1] Chave Unipolar de Doze Vias
[2] Mercado de CIs de comutação de RF em 20 de novembro de 2015. Investigação da Toshiba
[3] Perda de potência que ocorre quando um sinal de RF é transmitido pela chave, expressa em decibéis (dB).
[4] Uma especificação de interface de barramento série para controlar componentes de RF para dispositivos móveis, normalizada pelo grupo de trabalho Frontend RF (RFFE) da MIPI (Mobile Industry Processor Interface) Alliance.
[5] Padrões de comunicação móvel especificados pelo 3GPP (3rd Generation Partnership Project).
[6] Tecnologia para reduzir a capacitância parasita através da utilização de uma camada isolante sob o canal do MOSFET. SOI: silício sobre isolante
* TarfSOI é uma marca comercial da Toshiba Corporation.
