Nos últimos anos, os setores industrial e de consumo têm exigido poupanças de energia cada vez maiores para alcançar uma sociedade sustentável. No entanto, embora se espere que os HEMTs de GaN contribuam significativamente para a miniaturização e melhoria da eficiência de conversão de energia, a complexidade do controlo da porta em comparação com os MOSFETs de silício exige a utilização de um driver de porta dedicado. Em resposta a isto, a ROHM desenvolveu circuitos integrados de estágio de potência que integram HEMTs de GaN e drivers de porta num único encapsulamento, aproveitando tecnologias analógicas e de potência essenciais, simplificando consideravelmente a montagem.
Além disso, a série BM3G0xxMUV-LB (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) incorpora características adicionais e componentes periféricos concebidos para maximizar o desempenho dos HEMTs de GaN, juntamente com HEMTs de GaN de 650 V — a próxima geração de dispositivos de potência. As características da ROHM, como uma vasta gama de tensão de acionamento (2,5 V a 30 V), permitem a compatibilidade com praticamente qualquer circuito integrado de acionamento em fontes de alimentação primárias, facilitando a substituição dos MOSFET de silício (superjunção) existentes. Isto possibilita uma redução simultânea do tamanho do componente e da perda de potência de aproximadamente 99% e 55%, respetivamente, conseguindo uma maior eficiência numa área mais pequena.
ISAAC LIN, Director Geral do PSADC (Centro de Desenvolvimento de Aplicações de Semicondutores de Potência) da Delta Electronics, Inc.:
“Os dispositivos GaN estão a gerar um grande interesse em diversos sectores, uma vez que contribuem significativamente para a miniaturização de equipamentos e para a poupança de energia.
Os novos produtos da ROHM conseguiram um acionamento de gate seguro e de alta velocidade, utilizando a tecnologia analógica original da ROHM. Estes produtos irão incentivar ainda mais a utilização de dispositivos de potência GaN, para os quais se espera um crescimento ainda maior.”
Gama de produtos:
Uma vasta gama de tensão de acionamento (de 2,5 V a 30 V), um curto atraso de propagação e um tempo de arranque rápido permitem a compatibilidade com praticamente qualquer circuito integrado de driver em fontes de alimentação primárias.
Exemplos de aplicação:
Otimizado para fontes de alimentação primárias (circuitos CA-CC, correção do fator de potência (PFC)) numa vasta gama de aplicações.
Consumidor: eletrodomésticos, adaptadores CA, PCs, TVs, frigoríficos, aparelhos de ar condicionado.
Industrial: servidores, equipamento de escritório.
Informações sobre vendas online.
Distribuidores: DigiKey, Mouser e Farnell.
Os produtos e as placas de avaliação serão oferecidos por outros distribuidores online à medida que forem disponibilizados.
Início das vendas: junho de 2023.
Referência da placa de avaliação:
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240 W)
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
EcoGaN™
é a nova linha de dispositivos GaN da ROHM que contribui para a poupança de energia e miniaturização, maximizando as características do GaN para alcançar um menor consumo de energia em aplicações, componentes periféricos mais pequenos e projetos mais simples que requerem menos peças.
EcoGaN™ é uma marca comercial ou marca registada da ROHM Co., Ltd.
