A série SCT3xxx xR utiliza um encapsulamento de 4 pinos (TO-247-4L) que maximiza o desempenho de comutação, reduzindo as perdas de comutação até 35% em comparação com os encapsulamentos convencionais de 3 pinos (TO-247N). Isto contribui para um menor consumo de energia numa vasta gama de aplicações.
Nos últimos anos, a crescente necessidade de serviços na cloud, impulsionada pela proliferação da IA e da IoT, gerou um aumento significativo da procura de data centers em todo o mundo. No entanto, para os servidores utilizados nestes data centers, um dos principais desafios é como reduzir o consumo de energia, aumentando simultaneamente a capacidade e o desempenho. Ao mesmo tempo, os dispositivos de SiC estão a ganhar destaque devido às suas menores perdas em comparação com os dispositivos de silício convencionais nos circuitos de conversão de energia para servidores. Além disso, uma vez que o encapsulamento TO-247-4L reduz as perdas de comutação em comparação com os encapsulamentos convencionais, espera-se que seja amplamente adotado em aplicações de alto desempenho, como servidores, estações base e sistemas de geração de energia solar.
Em 2015, a ROHM tornou-se o primeiro fornecedor a produzir em massa com sucesso MOSFETs de SiC com estrutura de porta em trincheira e continua a liderar o setor no desenvolvimento de produtos. Para além destes novos MOSFET de SiC de alta eficiência de 650 V/1200 V, estamos empenhados no desenvolvimento de dispositivos inovadores e no fornecimento de soluções que ajudam a reduzir o consumo de energia numa vasta gama de dispositivos, incluindo circuitos integrados de acionamento de porta otimizados para unidades de SiC.
A ROHM propõe também soluções que facilitam a avaliação de aplicações, incluindo uma placa de avaliação de MOSFET de SiC, P02SCT3040KR-EVK-001, equipada com circuitos integrados de acionamento de gate (BM6101FV-C), juntamente com circuitos integrados de alimentação e componentes discretos otimizados para a unidade de dispositivo de SiC.
Características principais:
O encapsulamento de 4 pinos (TO-247-4L) reduz as perdas de comutação até 35%.
Com os encapsulamentos convencionais de 3 pinos (TO-247N), a tensão efetiva do gate no chip é reduzida devido à queda de tensão na indutância parasita do terminal de fonte. Isto reduz a velocidade de comutação. A adopção do encapsulamento TO-247-4L de 4 pinos separa os pinos de driver e de alimentação, minimizando os efeitos da indutância parasita. Isto permite maximizar a velocidade de comutação dos MOSFETs de SiC, reduzindo as perdas totais de comutação (ligar e desligar) até 35% em comparação com o encapsulamento convencional.
A
série SCT3xxx xR consiste em MOSFETs de SiC que utilizam um design de porta em trincheira. São propostos seis modelos, com uma tensão de rutura de 650V (3 produtos) ou 1200V (3 produtos).
(ver tabela)
Aplicações:
Sistemas UPS, inversores de energia solar, sistemas de armazenamento de energia, postos de carregamento de veículos elétricos, fornecimento de energia para centros de servidores e estações base, e muito mais.
A placa de avaliação
(P02SCT3040KR-EVK-001) está equipada com os nossos circuitos integrados de acionamento de gate (BM6101FV-C) otimizados para o controlo de dispositivos de SiC, juntamente com múltiplos circuitos integrados de alimentação e componentes discretos adicionais que facilitam a avaliação e o desenvolvimento de aplicações. A compatibilidade com os encapsulamentos TO-247-4L e TO-247N permite a avaliação de ambos os encapsulamentos nas mesmas condições. A placa pode ser utilizada para testes de duplo pulso, bem como para avaliação de componentes em circuitos boost, inversores de dois níveis e circuitos buck com retificador síncrono.
