Tal como a geração anterior de dispositivos, os novos transístores ICeGaN H2 de 650 V são acionados de forma semelhante aos MOSFET de silício, eliminando a necessidade de circuitos complexos e ineficientes quando se utilizam drivers de gate disponíveis comercialmente. Além disso, os HEMTs ICeGaN H2 apresentam um QG 10 vezes inferior aos componentes de silício e um QOSS 5 vezes inferior, permitindo reduzir drasticamente as perdas de comutação a altas frequências, ao mesmo tempo que diminui o tamanho e o peso. O resultado é uma eficiência líder na sua categoria, 2% superior aos melhores MOSFET de silício do mercado para aplicações SMPS.
GIORGIA LONGOBARDI | CEO E COFUNDADORA DA CGD: "A CGD estabeleceu uma posição de liderança inovadora com a série H2 de ICeGaN. Pesquisas independentes da Virginia Tech demonstraram que os ICeGaNs são os dispositivos GaN mais robustos do setor e, em termos de facilidade de utilização, podem ser controlados como um MOSFET de silício padrão, eliminando assim a curva de aprendizagem que pode atrasar a adoção pelo mercado. A eficiência do GaN é bem conhecida, e o ICeGaN impressiona em toda a gama de carga."
A série ICeGaN H2 incorpora um inovador circuito NL3 (sem carga e com carga leve), integrado no chip com o switch GaN, resultando em perdas de potência extremamente baixas. Uma estrutura de fixação Miller avançada e integrada, também no chip, elimina a necessidade de tensões de porta negativas, conseguindo um verdadeiro shutdown por zero volts e melhorando o desempenho dinâmico do RDS(ON). Estes HEMTs GaN de modo e (normalmente desligados) de chip único incluem uma interface e um circuito de proteção integrados monolíticamente para uma fiabilidade de porta incomparável e simplicidade de design. Finalmente, uma funcionalidade de deteção de corrente reduz a dissipação de energia e permite a ligação à terra direta para otimizar o arrefecimento e a EMI.
GIORGIA LONGOBARDI | CEO E COFUNDADORA DA CGD: "A CGD superou todos os desafios que normalmente atrasam a adoção de uma nova tecnologia. Além disso, estamos agora prontos para servir o mercado de massas com os nossos transístores ICeGaN da série H2, que estão disponíveis através de uma cadeia de fornecimento estabelecida."
