Estes dispositivos são concebidos para aplicações de conversão de energia de média e alta tensão, incluindo carregadores de bateria, inversores fotovoltaicos, fontes de alimentação para servidores e sistemas de armazenamento de energia. Todos os componentes são submetidos a testes de desgaste do óxido de porta ao nível da bolacha, com tensões superiores a 1400 V, e a testes de avalanche até 800 mJ (330 mJ para os módulos de 34 mΩ).
Todos os módulos são altamente robustos, fáceis de montar e possuem uma placa traseira isolada, bem como pontos de montagem direta para dissipadores de calor. Foram concebidos para melhorar o desempenho e as velocidades de comutação, minimizando as perdas nestas aplicações. O modelo GCMX007C120S1-E1 de 7,4 mΩ reduz as perdas de comutação para 4,66 mJ (3,72 mJ ligado e 0,94 mJ desligado) e apresenta uma carga de recuperação inversa do díodo interno de 593 nC.
A sua resistência térmica entre a junção e a carcaça varia de 0,23 °C/W para o módulo MOSFET de 7,4 mΩ a 0,70 °C/W para o módulo de 34 mΩ.
O Dr. Timothy Han, presidente da SemiQ, afirmou:
“A expansão da nossa família de MOSFETs de SiC de 1200V de terceira geração representa mais um marco importante na missão da SemiQ de fornecer soluções superiores de carboneto de silício para aplicações de potência de alto desempenho. Ao expandir o nosso portfólio com opções de menor resistência e encapsulamentos SOT-227 robustos e fáceis de montar, estamos a permitir que os projetistas alcancem maior eficiência, comutação mais rápida e maior fiabilidade numa vasta gama de sistemas de potência e industriais.”
