A Toshiba Electronics Europe está pronta para anunciar o desenvolvimento da próxima geração da sua tecnologia de semicondutores de superjunção (SJ) de trincheira profunda para MOSFETs de potência de alta eficiência.Os dispositivos baseados no novo processo DTMOS V operam com menor ruído EMI e resistência ON reduzida (RDS(ON)), em comparação com os MOSFETs DTMOS IV anteriores.
Semelhante à tecnologia de semicondutores DTMOS IV anterior, o DTMOS V baseia-se num processo epitaxial único que envolve uma gravação de trincheira profunda seguida de crescimento epitaxial do tipo P. O processo de gravação de trincheira profunda resulta num espaçamento entre células mais estreito e num RDS(ON) mais baixo em comparação com os processos planares mais convencionais. O processo de trincheira profunda da Toshiba permite coeficientes térmicos RDS(ON) melhorados para MOSFETs em comparação com os MOSFETs de superjunção convencionais que utilizam o processo de crescimento epitaxial múltiplo.
Com o DTMOS V, a Toshiba conseguiu reduzir o RDS(ON) do DPAK TK290P60Y até 17% em comparação com o RDS(ON) mais baixo disponível no MOSFET DTMOS IV TK12P60W. A empresa também otimizou ainda mais a relação entre o desempenho de comutação e o ruído EMI.
Os MOSFET DTMOS V simplificarão o design e melhorarão o desempenho em aplicações de conversão de energia, incluindo fontes de alimentação comutada, projetos de correção do fator de potência (PFC), iluminação LED e outras aplicações CA/CC. Os primeiros MOSFET baseados no processo de quinta geração oferecerão 600 V e 650 V e serão fornecidos em encapsulamentos DPAK (TO-252) e TO-220SIS (isolamento inteligente). As classificações de resistência ON mais elevadas variarão de 0,29 Ω a 0,56 Ω.
