A simulação é uma ferramenta muito valiosa para os designers, pois reduz o número de protótipos necessários, eliminando a necessidade de repetições e, consequentemente, aumentando a eficiência do desenvolvimento e reduzindo o tempo, o custo e o risco totais.
No exigente mundo da eletrónica de potência e do design automóvel, existe uma forte procura por previsões preliminares de desempenho de EMI e dissipação de energia de todo o sistema. Isto leva a uma crescente procura de modelos SPICE para semicondutores de potência que possam prever eficiências de conversão de energia, EMI e outros parâmetros relevantes.
Estes novos modelos SPICE G2 para dispositivos de potência discretos são criados utilizando o formato de modelo macro, que combina múltiplos modelos compactos para se ajustarem à estrutura do dispositivo, representando as características elétricas com alguns elementos não lineares e uma função contínua arbitrária. Com esta abordagem, as simulações de comutação são mais precisas e aproximam-se mais das medições do mundo real, melhorando a reprodutibilidade das características de alta corrente da curva ID-VDS, incluindo as características de capacitância parasita dependentes da tensão.
Disponíveis no site da Toshiba, os modelos G2 abrangem MOSFET de baixa tensão (12V-300V) e MOSFET de média e alta tensão (400V a 900V). Existem versões disponíveis para PSpice e LTSpice.
