O dispositivo oferece um ganho de potência típico de 18 dB a 2675 MHz com uma eficiência de 54,1%. O A3G26D055N apresenta também elevadas impedâncias terminais e uma magnitude de vetor de erro (EVM) altamente linearizada, o que o torna uma escolha ideal para sistemas de antenas ativas MIMO massivas para estações base 5G. As aplicações para o transístor NXP A3G26D055N incluem MIMO massivo 5G, W-CDMA e LTE, estações base e controladores de macrocélulas, estágio final de células pequenas, antenas ativas e telecomunicações de uso geral.

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