Os transístores GS-065-060 são transístores de potência de modo de enriquecimento de 650 V com requisitos de acionamento de porta simples, que variam de 0 V a 6 V. Estes transístores apresentam uma frequência de comutação elevada superior a 10 MHz, com tempos de subida e descida rápidos e controláveis. São encapsulados num pacote GaNPX® de baixa indutância e baixa resistência térmica. Os transístores também oferecem capacidade de condução inversa e perda de recuperação inversa zero, proporcionando um desempenho eficiente para aplicações exigentes de alta potência. Os transístores GS-065-060 possuem dois pads de porta para otimizar o design da placa e estão em conformidade com a RoHS 3.

Mais informações: https://www.mouser.es/new/gan-systems/gan-systems-650v-transistors/