A arquitetura de 800 VCC representa um sistema de fornecimento de energia altamente eficiente e escalável, pronto para transformar o design de data centers, permitindo fábricas de IA à escala de gigawatts. A ROHM oferece uma vasta gama de dispositivos de potência, incluindo silício (Si), carboneto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN), e é uma das poucas empresas no mundo com a expertise tecnológica para desenvolver circuitos integrados analógicos (circuitos integrados de controlo e potência) capazes de maximizar o desempenho dos dispositivos.
O white paper inclui as soluções de energia abrangentes da ROHM, que cobrem uma vasta gama de dispositivos de potência e tecnologias de circuitos integrados analógicos, com suporte de simulações de design térmico, estratégias de design ao nível da placa e exemplos de implementação no mundo real.
Principais destaques do relatório técnico
: • Aumento do consumo de energia por rack: A procura de energia por rack nos centros de dados de IA está a aumentar rapidamente, levando os sistemas de energia CC convencionais de 48 V/12 V ao limite.
• Transição para 800 VCC: A transição para uma arquitetura de 800 VCC melhora significativamente a eficiência, a densidade energética e a sustentabilidade do data center.
• Conversão de energia reposta: No sistema de 800 VCC, a conversão CA-CC (PSU), tradicionalmente realizada dentro dos bastidores de servidores, é transferida para um bastidor de energia dedicado.
• Papel essencial do SiC e do GaN: Os dispositivos de banda larga são cruciais para alcançar um desempenho eficiente. Ao mover a conversão CA-CC para fora do bastidor de TI, as definições de maior densidade dentro do bastidor de TI podem suportar melhor a integração de GPUs.
• Topologias de conversão otimizadas: Cada fase de conversão, de CA para 800 VCC no bastidor de energia e de 800 VCC para tensões mais baixas no bastidor de TI, requer soluções especializadas. Os dispositivos SiC e GaN da ROHM contribuem para uma maior eficiência e redução de ruído, além de diminuir o tamanho dos componentes periféricos, o que aumenta significativamente a densidade de potência.
• Tecnologias inovadoras de dispositivos: A série EcoSiC™ da ROHM oferece módulos de arrefecimento superiores com baixa resistência, líder de mercado, ideais para servidores de IA, enquanto a série EcoGaN™ combina o desempenho do GaN com tecnologias proprietárias de circuitos integrados analógicos, como o Nano Pulse Control™. Isto permite um acionamento estável de gate, controlo ultrarrápido e operação a alta frequência — características que conquistaram grande reconhecimento no mercado.
A transição para uma infraestrutura de 800 VCC é um esforço coletivo da indústria. A ROHM está a trabalhar em estreita colaboração com a NVIDIA, operadores de centros de dados e designers de sistemas de energia para fornecer tecnologias essenciais de semicondutores de banda larga para a infraestrutura de IA da próxima geração. Através de colaborações estratégicas, incluindo uma parceria com a Delta Electronics em 2022, a ROHM continua a impulsionar a inovação em dispositivos de potência de SiC e GaN, possibilitando soluções de data center poderosas, sustentáveis e energeticamente eficientes.
