Os FET de GaN de modo de intensificação de 650 V da Nexperia oferecem valores de RDS(on) de 80 a 190 mΩ numa seleção de encapsulamentos DFN de 5x6 mm e 8x8 mm, aumentando a eficiência de conversão de energia em aplicações de telecomunicações/comunicação de dados de alta e baixa tensão (<650 V), carregamento de dispositivos eletrónicos, energia solar e aplicações industriais. Também podem ser utilizados para projetar motores CC sem escovas e acionamentos de microservidores de precisão com maior binário e potência. A Nexperia também oferece um FET de GaN de 100 V (3,2 mΩ) num encapsulamento WLCSP8 e um dispositivo de 150 V (7 mΩ) num encapsulamento FCLGA. Estes dispositivos são adequados para uma grande variedade de aplicações de baixa tensão (<150 V) e alta potência, proporcionando, por exemplo, conversores CC-CC mais eficientes em centros de dados, carregamento mais rápido (mobilidade elétrica e USB Type-C™), transcetores LiDAR mais pequenos, amplificadores de áudio de classe D com menor ruído e dispositivos de consumo com maior densidade de potência, como telemóveis, computadores portáteis e consolas de videojogos.

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