Ideais para utilização em cozinhas, os novos dispositivos são fornecidos num encapsulamento TO-3(N), equivalente ao TO247, e oferecem uma temperatura máxima de junção de 175 °C. A corrente nominal máxima para ambos os dispositivos é de 50 A. A tensão de saturação típica (com uma corrente de curto-circuito de 50 A) é de 1,5 V para o GT50JR21 e de 1,65 V para o GT50JR22.
Os IGBTs GT50JR21 e GT50JR22 da Toshiba são baseados na tecnologia de semicondutores melhorada da empresa e otimizados para comutação de altíssima velocidade. Os seus tempos típicos de ativação (t<sub>on</sub>) e de desativação (t<sub>off</sub>) com uma corrente de coletor de 50 A são de 0,26 ms e 0,31 ms, e 0,25 ms e 0,37 ms, respetivamente. Consequentemente, o GT50JR21 é adequado para comutação de baixa frequência, enquanto o GT50JR22 é adequado para comutação de alta frequência.
A dissipação de calor do coletor para cada IGBT é de 230W a 25ºC.
