O novo dispositivo em modo D apresenta uma resistência de condução de 20 mΩ e utiliza um encapsulamento PQFN de 8 × 8 mm com arrefecimento em ambos os lados (DSC). A Renesas já iniciou a distribuição de amostras do componente aos fabricantes OEM e ODM de equipamentos de data center com IA.
O TP65H020G4PLSGBD baseia-se na arquitetura GaN Gen IV Plus da Renesas e suporta um funcionamento até 700 V. Entre as suas aplicações está o estágio de conversor CC-CC de barramento intermédio (IBC) de arquiteturas de 800 V, responsável pela redução da tensão para níveis de 48, 12 ou 6 V.
O dispositivo também se destina a unidades de bateria de reserva (BBU) e bancos de condensadores (CBU) instalados em bastidores de energia auxiliares de centros de dados.
Uma das principais características do novo componente é o seu encapsulamento PQFN com arrefecimento superior e inferior. De acordo com os dados fornecidos pela Renesas, esta configuração reduz a impedância térmica na parte superior em 10% em comparação com os encapsulamentos convencionais arrefecidos apenas nessa face. O encapsulamento PQFN mede 8 × 8 mm. A Renesas indica que a sua área de superfície é 57% inferior à do seu encapsulamento TOLT de 10 × 15 mm, permitindo uma redução do espaço ocupado pelos dispositivos de potência na placa de circuito impresso.
A empresa refere que o encapsulamento DSC foi definido em colaboração com clientes do setor de infraestruturas de IA com o objetivo de ter um formato comum para este tipo de aplicações.
O TP65H020G4PLSGBD incorpora a tecnologia GaN Gen IV Plus de 650 V da Renesas. As suas características incluem baixa carga de porta e capacitância de saída, além de um díodo de roda livre integrado com baixa recuperação inversa. O dispositivo apresenta também uma tensão de limiar que permite o funcionamento sem polarização negativa da porta.
Segundo a Renesas, pode ser controlado através de um driver de porta convencional para dispositivos de silício, sem necessidade de recorrer a um controlador GaN de modo E específico.
A empresa especifica também a capacidade de comutação na gama dos MHz, uma característica que permite a utilização de componentes passivos mais pequenos em determinados projetos de conversão de energia.
A Renesas utilizou o novo dispositivo num projeto de referência de um transformador CC LLC (DCX) de 6 kW, responsável pela conversão de 800 V para 48 V. O sistema é controlado por um microcontrolador Renesas RA6T3 e, de acordo com os testes fornecidos pela empresa, atinge uma densidade de potência de 2,6 kW/in³. Em testes realizados por módulo, o projeto registou uma eficiência a plena carga 0,21 pontos percentuais superior à obtida com uma placa equivalente baseada num encapsulamento TOLT.
Estes últimos dados correspondem ao projeto de referência completo e às condições de teste utilizadas pela Renesas, pelo que não devem ser interpretados como uma melhoria universal na eficiência dos semicondutores em comparação com qualquer solução TOLT.
O tamanho reduzido do encapsulamento permite também a modificação do layout do FET na placa e reduz a área da PCB utilizada pelo estágio de potência. A Renesas desenvolveu também projetos de referência IBC DC-DC para conversões de 800 V para 12 V e de 800 V para 6 V utilizando a plataforma DSC de 8 × 8 mm.
O TP65H020G4PLSGBD pode ser combinado com os controladores auxiliares, drivers de gate e microcontroladores da Renesas para desenvolver as várias fases de conversão de energia das arquiteturas HVDC. A empresa está a direcionar o novo dispositivo principalmente para OEMs e ODMs, bem como para operadores de hiperescala que desenvolvem infraestruturas de energia de 800 V para centros de dados de IA.
Removi a declaração corporativa e expressões como "o primeiro do setor", "um dos mais baratos da categoria", "completo", "solução completa", "atualização extremamente fácil" e afirmações genéricas sobre redução de custos. O texto fornecido não oferece uma comparação de mercado suficientemente ampla para sustentar algumas destas afirmações como factos independentes.
Mantive também separados os valores de 20 mΩ, 650 V e encapsulamento de 8 × 8 mm, que são especificações do dispositivo, dos valores de 6 kW, 2,6 kW/in³ e da melhoria de 0,21 pontos percentuais, que correspondem ao projeto de referência e aos testes descritos pela Renesas.
