Módulos de memoria FRAM
Mouser Electronics, Inc. anuncia que ya distribuye los productos de memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (FRAM) y memoria de acceso aleatorio resistiva (ReRAM) de gran densidad de Fujitsu Semiconductor Memory Solution. Las FRAM de Fujitsu son memorias no volátiles de nueva generación que satisfacen las necesidades de los ingenieros en cuanto a una mayor resistencia de lectura y escritura, una mayor velocidad de escritura y un menor consumo de energía en comparación con las EEPROM.
Mouser ofrece las FRAM de Fujitsu en interfaces seriales (SPI e I²C) y paralelas con varios tipos de paquetes compactos de alta densidad. Las opciones de tamaño van desde 4 Kbits hasta 8 Mbits. Fujitsu fue la primera empresa en iniciar la producción en masa de FRAM en 1999. Los productos FRAM de la empresa se pueden encontrar en aplicaciones clave como productos industriales, médicos, de automoción y de consumo. La ReRAM de Fujitsu, que cuenta con una interfaz SPI, se puede usar en un rango de tensión de alimentación entre 1,6 y 3,6 V. El dispositivo compatible con EEPROM presenta un consumo de energía muy bajo (0,15 mA en lectura y 1,5 mA en escritura). Además, tiene una densidad de 8 Mbit, por lo que es ideal para dispositivos portátiles pequeños que funcionan con batería, como audífonos, relojes inteligentes y gafas inteligentes.
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