Ces modules possèdent 32 banques internes, ce qui accroît l'efficacité en permettant l'ouverture simultanée d'un plus grand nombre de pages. Alors que la DDR4 atteint une vitesse maximale de 3 200 MT/s, la DDR5 démarre à 4 800 MT/s (soit une augmentation de 50 % de la bande passante selon la norme JEDEC) et vise des vitesses standard allant jusqu'à 8 800 MT/s. Ces modules intègrent un code de correction d'erreurs (ECC) qui corrige les erreurs de bits sur la puce DRAM et améliore ainsi la fiabilité.
Ces modules de mémoire offrent des fonctionnalités de réparation matérielle et logicielle après conditionnement, ainsi qu'un accès latéral via I3C/I2C. Avec une tension d'alimentation typique de 1,1 V, les modules de mémoire DDR5 consomment 20 % d'énergie en moins que les composants DDR4 équivalents. Ces modules présentent une tension de drain typique de 1,1 V et une tension crête à crête typique de 1,8 V. Les modules de mémoire DDR5 SDRAM sont conformes à la norme UL 94 V-0 et à la directive RoHS, et fonctionnent dans une plage de températures allant de 0 à 95 °C. Ils répondent aux exigences des systèmes hautes performances pour l'informatique de périphérie, l'intelligence artificielle (IA), les consoles de jeux, les applications industrielles, les stations de travail de création de contenu, ainsi que les serveurs et les centres de données.
