Mouser Electronics, Inc. propose désormais les nouveaux transistors à effet de champ au nitrure de gallium GaNEXUS™ (GaN FET) d'onsemi. Les transistors GaNEXUS GaN FET exploitent la large bande passante du GaN pour offrir des performances telles qu'une commutation rapide, une réduction de la charge de sortie et de grille, ainsi qu'une efficacité accrue pour des applications dans les domaines de l'IA, des centres de données, de la robotique, de l'automatisation industrielle et des infrastructures énergétiques.
Dans la conception de circuits de communication et d'acquisition de signaux isolés galvaniquement pour les applications industrielles, la plupart des ingénieurs s'appuient encore sur des solutions basées sur des composants discrets : un émetteur-récepteur de bus RS-485/CAN, un isolateur numérique et un module d'alimentation isolé séparé.
La demande en circuits intégrés d'horloge basse tension ne cesse de croître en raison de l'adoption rapide des technologies FinFET avancées utilisées dans les FPGA et SoC hautes performances, les accélérateurs d'IA et les processeurs de nouvelle génération. Les concepteurs de circuits imprimés sont confrontés à des difficultés croissantes dues à la disponibilité limitée des tampons d'horloge LVCMOS 1,2 V standard et des convertisseurs de niveau capables d'abaisser les signaux d'horloge haute tension aux niveaux de tension inférieurs requis par ces dispositifs avancés.
Microchip Technology et Marelli annoncent une nouvelle solution permettant la transmission de contenus graphiques et vidéo générés par l'ordinateur central du véhicule directement vers les écrans de la voiture via ASA Motion Link (ASA-ML), une norme ouverte pour la connectivité vidéo automobile.
Nanopower Semiconductor a annoncé le nPZ2100, le dernier-né de sa plateforme de circuits intégrés à faible consommation nPZero™. Basé sur l'architecture nPZero, le nPZ2100 permet aux systèmes de capteurs à autonomie limitée de fonctionner avec un circuit intégré complémentaire à très faible consommation
Nuvoton Technology a annoncé qu'elle commencera la production en série en septembre des circuits intégrés de surveillance de batterie KA49703A et KA49713A (BMIC), optimisés pour les unités de secours de batterie (BBU(*1)) utilisées dans les serveurs d'IA.
Mouser Electronics, Inc. propose la plateforme IoT Genio 420 de MediaTek, une solution conçue pour les appareils embarqués nécessitant une combinaison de puissance de traitement, de connectivité et de capacités d'intelligence artificielle (IA) et d'IA générative (GenAI) directement intégrées. La Genio 420 est particulièrement adaptée aux applications de calcul en périphérie (edge computing), où l'exécution locale des inférences réduit la latence et la dépendance aux services de traitement dans le cloud.
ROHM a développé un dispositif oscillant térahertz (THz) de deuxième génération utilisant des éléments semi-conducteurs appelés diodes tunnel résonantes (RTD). Ce dispositif est disponible via le kit d'évaluation RTD-EVK-G2, qui comprend un prototype, un câble et une carte d'évaluation.
Renesas Electronics Corporation a annoncé ses solutions de chipset de troisième génération (Gen 3) pour modules de mémoire DDR5 MRDIMM (Multiplexed Rank Dual In-Line), offrant des vitesses de transfert DDR5 MRDIMM de classe serveur allant jusqu'à 16 000 mégatransferts par seconde (MT/s). Ces nouvelles solutions sont conçues pour répondre à la demande croissante de bande passante mémoire plus élevée, stimulée par les centres de données d'intelligence artificielle (IA), l'infrastructure cloud et les charges de travail de calcul accéléré.
Face à la complexité croissante des modèles d'IA et à l'augmentation des volumes de données requis par les charges de travail informatiques, les architectes système doivent relever le défi d'accroître la bande passante mémoire sans compromettre la compatibilité avec les plateformes serveur existantes. Les solutions MRDIMM de troisième génération de Renesas offrent une bande passante mémoire supérieure de 25 % à celle de la deuxième génération, tout en exploitant l'infrastructure DDR5 existante. Ainsi, les plateformes serveur bénéficient de performances accrues sans nécessiter de modifications architecturales majeures.
Renesas continue de proposer une plateforme MRDIMM éprouvée sur le terrain et prête pour la production, comprenant des MRCD, des MDB, des circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC), des concentrateurs de détection de présence série (SPD) et des capteurs de température. Cette approche de plateforme permet aux clients d'optimiser les performances des MRDIMM d'une génération à l'autre tout en préservant la continuité de la conception et en accélérant le déploiement.
La MRDIMM Gen 3 s'appuie sur l'architecture éprouvée de la Gen 2, améliorant les performances tout en conservant les formats DIMM standard et la compatibilité système. La Gen 3 introduit également des améliorations en matière de visibilité et de robustesse du système, notamment un indicateur de qualité pour le mode d'auto-apprentissage de l'égalisation du dispositif (DESTM), permettant aux utilisateurs d'affiner la synchronisation du récepteur et l'égalisation afin d'optimiser la marge dynamique.
Outre les performances améliorées, les solutions MRDIMM de 3e génération de Renesas ont été conçues dans un souci d'efficacité énergétique au niveau du système, permettant ainsi aux clients de concilier les besoins croissants en bande passante et les contraintes de consommation thermique et électrique. Des comparaisons détaillées de la consommation électrique seront fournies dans la documentation produit.
« AMD soutient depuis longtemps les technologies ouvertes et basées sur des normes qui stimulent l'innovation dans les centres de données et offrent une plus grande flexibilité face à l'évolution constante des charges de travail d'IA et de HPC », a déclaré Amit Goel, vice-président de l'ingénierie des solutions d'IA et de plateformes de calcul pour entreprises chez AMD. « Les innovations dans les formats de mémoire de nouvelle génération, tels que MRDIMM et le chipset Renesas, sont essentielles pour permettre au secteur d'offrir une bande passante plus élevée, une efficacité accrue et une évolutivité continue des plateformes. »
« Les charges de travail d'entraînement et d'inférence de l'IA redéfinissent fondamentalement les exigences en matière de mémoire système pour l'infrastructure des centres de données », a déclaré Sameer Kuppahalli, vice-président et directeur général de la division Interfaces mémoire chez Renesas. « Pour répondre aux exigences croissantes de ces charges de travail en matière de capacité et de performances mémoire, Renesas continue de dominer le secteur avec le lancement de sa troisième génération de composants de chipset pour MRDIMM. Nos clients utilisent la gamme complète de composants de chipset Renesas pour repousser sans cesse les limites des performances et de la capacité mémoire. »
Mouser Electronics, Inc. propose désormais en stock l'unité de mesure inertielle (IMU) 6 axes ASM330LHHG1 de STMicroelectronics. Ce capteur intègre un gyroscope numérique 3 axes et un accéléromètre numérique 3 axes, et fonctionne sur une large plage de températures allant de -40 °C à +125 °C.
GigaDevice annonce le lancement de sa nouvelle gamme de mémoires EEPROM I²C GD24CL. Cette nouvelle famille offre des performances exceptionnelles, des mécanismes de sécurité complets et une fiabilité remarquable, répondant ainsi aux exigences élevées en matière de stockage stable et à long terme des données de configuration critiques.
Toshiba Electronics Europe GmbH (« Toshiba ») présente les commutateurs multiplexeurs (MUX) et démultiplexeurs (DEMUX) différentiels haute vitesse TDS5B212MX et TDS5C212MX. Adaptés aux serveurs, aux équipements de test industriels, aux robots et aux applications connexes, ces nouveaux produits prennent en charge les interfaces haut débit telles que PCIe® 6.0 et USB4® version 2.0.
Analog Devices, Inc. a annoncé que son A²B 2.0 (Automotive Audio Bus) est désormais prêt pour la production. Nouvelle évolution de la technologie A²B d'ADI, l'A²B 2.0 est conçu pour aider les constructeurs automobiles et les équipementiers de premier rang du secteur automobile.
Maxim Integrated Products, Inc. a lancé l'amplificateur de haut-parleurs MAX98396 de classe D/G, qui se distingue par son niveau de bruit et sa consommation en veille parmi les plus faibles du marché. Cet amplificateur audio numérique 20 V délivre une puissance en veille de 12,7 mW, répondant ainsi aux exigences les plus élevées.
Melexis élargit sa gamme de circuits intégrés (CI) de détection magnétique avec une variante à double boîtier moulé (DMP) du MLX90425. Ce nouveau composant, qui conserve la cohérence du boîtier avec les CI MLX90364 et MLX90421 déjà existants,
À l'occasion du salon PCIM de Nuremberg, qui se tiendra du 10 au 12 mai 2016, ROHM Semiconductor présentera ses dernières innovations en matière d'alimentation électrique pour la commutation à haute vitesse et les performances haute puissance, tout en répondant au besoin de réaliser des économies d'énergie accrues...
Mitsubishi Electric a lancé sa sixième génération de modules IGBT MPD (Mega Power Dual). Conçus pour les convertisseurs de puissance, notamment pour les systèmes photovoltaïques et éoliens de grande capacité, ces modules conviennent également à d'autres applications haute puissance.
Les usines intelligentes du monde entier tirent parti d'applications d'automatisation avancées telles que la réalité augmentée, les robots mobiles autonomes, les cobots et les capteurs industriels. Même au-delà des chaînes de production traditionnelles, l'automatisation s'accélère dans des environnements tels que….
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