Par conséquent, ils sont idéaux pour les unités d'alimentation (PSU) dans les infrastructures de serveurs d'intelligence artificielle (IA) à forte consommation d'énergie, les équipements de télécommunications et les applications d'onduleurs solaires.
Ces nouvelles diodes Schottky offrent des performances de pointe grâce à leur commutation capacitive indépendante de la température et à leur absence de récupération, ce qui leur confère un indice de mérite exceptionnel (QC x VF). De plus, leurs performances de commutation sont quasiment indépendantes des variations de courant et de la vitesse de commutation. La structure Schottky PiN fusionnée (MPS) de ces dispositifs offre des avantages supplémentaires, tels qu'une robustesse exceptionnelle face aux surintensités, comme le démontre leur courant de crête direct élevé (IFSM). Cette caractéristique réduit le besoin de circuits de protection supplémentaires, ce qui diminue considérablement la complexité du système et permet aux ingénieurs d'obtenir une efficacité accrue grâce à des formats plus compacts dans les applications haute tension robustes.
Le PSC20120J est conditionné dans un boîtier plastique de puissance à montage en surface (CMS) Real-2-Pin D2PAK R2P (TO-263-2), tandis que le PSC20120L est conditionné dans un boîtier plastique de puissance traversant Real-2-Pin TO-247 R2P (TO-247-2). Ces boîtiers à stabilité thermique élevée améliorent la fiabilité du composant dans les applications haute tension, jusqu'à une température de fonctionnement de 175 °C. Les concepteurs bénéficient d'une plus grande sérénité grâce à la réputation de Nexperia, fabricant reconnu de semi-conducteurs de haute qualité couvrant un large éventail de technologies et s'appuyant sur une chaîne d'approvisionnement fiable.
