« Cet accord supplémentaire d'approvisionnement à long terme en substrats SiC complète les capacités externes que nous avons déjà sécurisées et les capacités internes que nous augmentons. Cela permettra à ST d'accroître le volume et la qualité des plaquettes dont nous aurons besoin pour répondre à la demande croissante de nos clients pour les programmes automobiles et industriels dans les années à venir », a déclaré Jean-Marc Chery, président et chef de la direction de STMicroelectronics.
« SiCrystal, filiale du groupe ROHM et acteur majeur du secteur du carbure de silicium (SiC), fabrique des plaquettes de SiC depuis de nombreuses années. Nous sommes ravis de signer cet accord d'approvisionnement avec ST, client de longue date. Nous continuerons d'accompagner notre partenaire dans le développement de son activité carbure de silicium en augmentant constamment les volumes de plaquettes et en garantissant une qualité irréprochable », déclare Robert Eckstein, président-directeur général de SiCrystal, filiale du groupe ROHM.
L'adoption de solutions d'alimentation utilisant des semi-conducteurs SiC s'accélère sur les marchés de l'automobile et de l'industrie. Grâce à cet accord, les deux entreprises contribueront à la généralisation de l'utilisation des SiC sur ces marchés.
