Avec la série EcoGaN™, ROHM Semiconductor offre aux concepteurs un large portefeuille de composants GaN pour répondre à tous leurs besoins : qu'il s'agisse de transistors HEMT GaN discrets (150 V ou 650 V), de pilotes de grille optimisés, d'autres contrôleurs ou de dispositifs d'étage de puissance intégrés.
La technologie EcoGaN™ de ROHM permet de réduire efficacement le volume des composants jusqu'à 90 % et les pertes de puissance jusqu'à 55 % par rapport aux MOSFET en silicium. Grâce à la capacité de commutation nettement supérieure du dispositif GaN, le nombre de composants passifs nécessaires est réduit. Conçue pour une utilisation simplifiée, cette gamme propose des dispositifs GaN en mode d'enrichissement (normalement bloqués) offrant une tension grille-source optimale (classe 150 V) dans un boîtier à dissipation thermique élevée et à faible inductance parasite. Avec le facteur de mérite (FOM) le plus élevé du marché, une protection intégrée contre les décharges électrostatiques (classe 650 V) et une inductance de fuite minimisée, les composants EcoGaN™ permettent la miniaturisation des systèmes et la réduction de la consommation d'énergie.
Lors du salon PCIM 2024 (du 11 au 13 juin à Nuremberg, en Allemagne), ROHM exposera sur le stand 304, hall 9, et présentera bien plus que la seule série EcoGaN™. ROHM exposera également d'autres produits clés, notamment des MOSFET SiC de 4e génération, des pilotes de grille et des dispositifs de puissance intelligents côté bas. Les produits de puissance de ROHM sont conçus pour répondre aux besoins évolutifs de divers secteurs industriels et contribuer à un avenir plus durable
