O portefólio de dispositivos de potência da ROHM abrange tecnologias de silício e de banda larga, incluindo o carboneto de silício (SiC) e o nitreto de gálio (GaN), oferecendo um caminho estratégico para os designers de centros de dados. Os MOSFET de silício da empresa são já amplamente utilizados nos setores automóvel e industrial, oferecendo uma solução fiável e com uma boa relação custo-benefício para as necessidades atuais de conversão de energia. São ideais para aplicações onde o preço, a eficiência e a fiabilidade precisam de ser equilibrados, tornando-os adequados para as fases de transição do desenvolvimento da infraestrutura de IA.
Um excelente exemplo é o RY7P250BM, um MOSFET de potência de 100 V com suporte dos principais fornecedores de cloud globais e concebido especificamente para circuitos de troca a quente em sistemas de alimentação de 48 V — um componente crítico em servidores de IA. Entre as suas principais características, destacam-se o melhor desempenho em SOA (Secure Operational Area) da categoria e a resistência ON ultrabaixa (1,86 mΩ) num encapsulamento compacto 8080. Estas características ajudam a reduzir a perda de energia e a melhorar a fiabilidade do sistema, requisitos cruciais para plataformas de cloud de alta densidade e alta disponibilidade. À medida que os centros de dados migram de 12 V para 48 V e mais, a capacidade de troca a quente torna-se fundamental para manter o tempo de atividade e proteger contra picos de corrente.
A retificação de nível industrial com perdas mínimas é uma área em que os dispositivos SiC da ROHM se destacam e estão alinhados com os planos da NVIDIA de iniciar a implementação em larga escala da sua arquitetura de data center HVDC de 800 V para alimentar racks de TI de 1 MW ou maiores. No centro da nova infraestrutura da NVIDIA está a conversão de 13,8 kV CA da rede elétrica diretamente para 800 V CC. Esta iniciativa visa resolver as ineficiências dos sistemas de alimentação de bastidor tradicionais de 54 V, que são limitados pelo espaço físico, cablagem de cobre e perdas de conversão.
Os MOSFET de SiC da ROHM oferecem um desempenho superior em ambientes de alta tensão e alta potência, resultando numa maior eficiência através da redução das perdas de comutação e condução, estabilidade térmica melhorada para sistemas compactos de alta densidade e fiabilidade comprovada em aplicações de missão crítica. Estas características estão perfeitamente alinhadas com os requisitos da arquitetura HVDC de 800 V da NVIDIA, que visa reduzir a utilização de cobre, minimizar as perdas de energia e simplificar a conversão de energia em todo o data center.
Complementando o SiC, a ROHM está a melhorar as tecnologias de nitreto de gálio sob a marca EcoGaN™. Enquanto o SiC é mais adequado para aplicações de alta tensão e alta corrente, o GaN oferece um desempenho excecional na gama de 100 V a 650 V, com uma resistência de campo de rutura superior, baixa resistência no estado ligado e comutação ultrarrápida. O abrangente portfólio EcoGaN™ da ROHM inclui HEMTs de GaN de 150 V e 650 V, drivers de gate e circuitos integrados de estágio de potência. Simultaneamente, a tecnologia patenteada Nano Pulse Control™ melhora ainda mais o desempenho de comutação, reduzindo a largura do impulso para até 2 ns. Estas inovações atendem à crescente procura por sistemas de energia mais pequenos e mais eficientes em data centers de IA.
Além de dispositivos discretos, a ROHM oferece uma gama de módulos SiC de alta potência, incluindo encapsulamentos moldados com refrigeração superior, como o HSDIP20, equipado com chips SiC de quarta geração avançados. Estes módulos SiC de 1200 V são otimizados para topologias LLC em conversores CA-CC e aplicações no lado primário dos conversores CC-CC. Concebidos para uma conversão de energia de alta eficiência e alta densidade, são particularmente adequados para os sistemas de energia centralizados previstos na arquitetura NVIDIA. O seu desempenho térmico robusto e escalabilidade tornam-nos ideais para barramentos de 800 V e configurações de rack à escala de MW.
A transição para uma infraestrutura HVDC de 800 V é um esforço colaborativo. A ROHM está empenhada em trabalhar em estreita colaboração com líderes do setor, como a NVIDIA, bem como com operadores de data centers e designers de sistemas de energia, para fornecer as tecnologias de silício fundamentais necessárias para esta próxima geração de fábricas de IA. A nossa expertise em semicondutores de potência, particularmente materiais de banda larga como SiC e GaN, posiciona-nos como um parceiro-chave no desenvolvimento de soluções que não só são poderosas, como também contribuem para um futuro digital mais sustentável e energeticamente eficiente.
