Classificada como SCM (ou memória persistente), com a capacidade de reter o seu conteúdo semelhante à memória flash NAND, a XL-FLASH preenche a lacuna de desempenho entre a DRAM e a NAND. Embora as soluções de memória volátil, como a DRAM, ofereçam as velocidades de acesso necessárias para aplicações exigentes, este desempenho tem um custo elevado. À medida que o custo por bit e a escalabilidade da DRAM convergem, esta nova camada SCM na hierarquia de memória resolve este problema com uma solução de memória flash NAND não volátil, de alta densidade e baixo custo. Com um grande potencial de crescimento, a empresa de análise de mercado IDC estima que o mercado de SCM atinja mais de 3 mil milhões de dólares até 2022 [1] .
Posicionada entre a DRAM e a memória flash NAND, a XL-FLASH oferece velocidades mais elevadas, menor latência e maiores capacidades de armazenamento a um custo mais baixo do que a DRAM tradicional. Inicialmente, a XL-FLASH será implementada em formato SSD, mas poderá ser expandida para dispositivos ligados ao canal de memória localizados no barramento DRAM, como os futuros módulos de memória não volátil em linha dupla (NVDIMMs).
Principais características
: chip de 128 gigabits (Gb) (em encapsulamento de 2, 4 ou 8 chips)
; tamanho de página de 4 KB para leituras e escritas mais eficientes do sistema operativo
; arquitectura de 16 planos para paralelismo mais eficiente
; tempos rápidos de leitura e programação de páginas; o XL-FLASH oferece uma baixa latência de leitura, inferior a 5 microssegundos, aproximadamente 10 vezes mais rápido que o TLC existente [2].
Como inventora da memória flash NAND, a primeira empresa a anunciar a tecnologia de memória flash 3D e líder em migrações de processos, a Toshiba Memory está numa posição ideal para oferecer SCM baseado em SLC com fabrico consolidado, escalabilidade comprovada e fiabilidade testada e aprovada.
“O XL-FLASH é a memória flash NAND de maior desempenho disponível, graças ao nosso BiCS FLASH – utilizado no modo SLC”, afirmou Axel Stoermann, vice-presidente da Toshiba Memory Europe GmbH. “Ao armazenar apenas 1 bit por célula, estamos a aumentar drasticamente o desempenho. E como o XL-FLASH se baseia em tecnologias comprovadas que já produzimos em massa, os nossos clientes poderão acelerar o lançamento dos seus produtos no mercado ao adoptar o XL-FLASH como solução de armazenamento de memória.”
Os envios de amostras terão início em setembro de 2019, estando o início da produção em massa previsto para 2020.
Mais informações ou um orçamento
[1] IDC, maio de 2019 - Previsão mundial de unidades de estado sólido, 2019-2023, documento nº US43828819
[2] Comparado com o NAND TLC da TMC, que tem uma latência de leitura de aproximadamente 50 microssegundos.
A memória NAND de maior desempenho disponível, graças ao facto de o chip ter sido especificamente concebido (16 planos) para oferecer um desempenho superior ao da NAND TLC.
