Graças à tecnologia de fabrico melhorada, o novo encapsulamento IR 3x3 PQFN permite uma corrente de carga até 60% superior à dos dispositivos PQFN 3x3 padrão, num formato compacto. Além disso, a resistência total do encapsulamento é significativamente reduzida, resultando num valor RDS(on) extremamente baixo. O novo encapsulamento PQFN também oferece uma condutividade térmica melhorada e cumpre as normas da indústria e o nível 1 de sensibilidade à humidade (MSL1).
A tecnologia de encapsulamento PQFN de alto desempenho também é aplicada a dispositivos com dimensões de 5 x 6 mm, permitindo projetos que exigem maior corrente sem ocupar uma área maior em comparação com os dispositivos PQFN padrão de 5 x 6 mm.
Esta família inclui dispositivos otimizados para utilização como MOSFETs de controlo, caracterizados pela sua baixa resistência de porta (Rg) para reduzir as perdas de comutação. Para aplicações MOSFET síncrono, os dispositivos estão disponíveis numa configuração FETKY (FET monolítico e díodo Schottky) para oferecer maior eficiência e desempenho EMI, reduzindo o tempo de recuperação inversa.
Com o seu perfil baixo de menos de 1 mm, estes dispositivos são compatíveis com as técnicas de montagem superficial existentes, têm dimensões standard e estão em conformidade com a diretiva RoHS.
