Esta família de produtos opera com correntes de 4 A a 20 A na configuração simples e com correntes de 16 A a 40 A na configuração dupla.
Tecnologia SiC:
Os díodos Schottky de banda larga baseados em SiC são concebidos para conversores CA/CC e CC/CC de alto desempenho, como a correção do fator de potência (PFC) e a retificação de saída em aplicações CC/CC de ultra-alta frequência. O díodo SiC representa um avanço na eficiência do conversor, melhorando a densidade de potência e a fiabilidade. As perdas de comutação da chave ativa são reduzidas, minimizando o stress de ativação. É possível alcançar uma maior frequência de comutação e densidade de potência sem problemas de refrigeração.
Benefícios da Tecnologia SiC da Vishay
: • Perdas de recuperação inversa praticamente nulas, invariáveis com a temperatura e as condições de funcionamento.
• Comutação puramente capacitiva, sem perdas no interior do díodo.
• Boa corrente de pico.
• Elevada relação corrente contínua/capacitância.
• Baixa fuga a altas temperaturas.
• Baixas perdas induzidas na chave ativa.
• EMI melhorada.
Família de Diodos SiC da Vishay:
O portefólio de SiC da Vishay abrange as classificações de corrente mais comuns, desde as pequenas às grandes. Todos os dispositivos têm uma tensão de rutura de 650 V e uma temperatura máxima de junção (TJ) de 175 °C. As opções de encapsulamento são: 2L TO-220AC com díodo único ou 3L TO-247AD com cátodo comum duplo.
