As suas aplicações incluem servidores em centros de dados, fontes de alimentação comutadas para equipamentos industriais e condicionadores de energia para geradores fotovoltaicos.
O TK024N60Z1 possui uma resistência dreno-fonte no estado ligado (RDS(ON)) de 0,024 Ω (máx.), a mais baixa da série DTMOSVI de 600 V. Isto também melhora a eficiência da fonte de alimentação, reduzindo a geração de calor. Combinado com o encapsulamento TO-247, que oferece uma excelente dissipação de calor, o TK024N60Z1 proporciona boas características de gestão térmica.
Tal como outros MOSFETs da série DTMOSVI de 600 V, o TK024N60Z1 beneficia de um design otimizado da porta e do processo de fabrico. Isto reduz a resistência dreno-fonte por unidade de área em aproximadamente 13%. Mais importante ainda, a resistência dreno-fonte multiplicada pela carga porta-dreno é reduzida em aproximadamente 52% em comparação com os produtos da série DTMOSIV-H da Toshiba produzidos convencionalmente com a mesma tensão dreno-fonte. Isto significa que a série DTMOSVI, incluindo o TK024N60Z1, oferece um melhor equilíbrio entre as perdas por condução e as perdas por comutação, contribuindo para melhorar a eficiência das fontes de alimentação comutada.
Para melhorar ainda mais a eficiência do fornecimento de energia, a Toshiba oferece ferramentas que auxiliam no design de circuitos para fontes de alimentação comutada. Entre estes, encontram-se o modelo SPICE G0, que verifica rapidamente o funcionamento do circuito, e os modelos SPICE G2 de alta precisão, que reproduzem as características dos transitórios.
O MOSFET de potência de canal N TK024N60Z1 exemplifica o compromisso da Toshiba em continuar a expandir a série DTMOSVI e a apoiar a conservação de energia, reduzindo a perda de energia nas fontes de alimentação comutada.
