Ao adotar o processo U-MOS11-H, o TPHR6704RL atinge uma resistência de condução (RDS(ON)) típica de 0,52 mΩ com uma tensão direta (VGS) de 10 V e uma RDS(ON) máxima de 0,67 mΩ com a mesma tensão direta (VGS). Comparativamente ao produto existente de 40 V (TPHR8504PL) fabricado com o processo U-MOS IX-H, a RDS(ON) é aproximadamente 21% inferior. Além disso, o desempenho de comutação do novo dispositivo é melhorado, com uma carga total de porta (Qg) típica de 88 nC e uma carga de comutação de porta (QSW) de 24 nC, resultando numa redução de aproximadamente 37% no índice de mérito RDS(ON) × Qg, possibilitando uma operação com baixas perdas.

O TPHR6704RL ajudará os projetistas a reduzir a interferência eletromagnética (EMI) nas fontes de alimentação comutada, minimizando os picos de tensão gerados entre o dreno e a fonte durante a comutação.

O TPHR6704RL também oferece um desempenho térmico e de corrente robusto, com uma corrente de drenagem (ID) nominal até 420 A e uma resistência térmica canal-carcaça de 0,71 °C/W a 25 °C, permitindo um funcionamento estável em condições de carga elevada. O dispositivo opera numa ampla gama de temperaturas, com uma temperatura máxima do canal (Tch) de 175 °C, garantindo um funcionamento fiável em ambientes industriais exigentes.

Alojado na embalagem SOP Advance(N), o dispositivo oferece uma elevada compatibilidade de área de contacto com os projetos SOP Advance existentes, simplificando a substituição e as atualizações ao nível da placa.

Para facilitar o design eficiente de fontes de alimentação, a Toshiba oferece um conjunto abrangente de ferramentas de design de circuitos. Além do modelo SPICE G0 para verificação funcional rápida, estão disponíveis modelos SPICE G2 de alta precisão para reproduzir com exatidão as características de transientes e comutação, auxiliando os projetistas a otimizar a eficiência, a interferência eletromagnética (EMI) e o desempenho térmico.

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