O MG1500FXF1US71 PMI (módulo com encapsulamento plástico IEGT) integra um IEGT (transistor de porta com injeção melhorada) de canal N e um díodo SiC de recuperação rápida (FRD) num encapsulamento com uma área de superfície de apenas 140 mm x 190 mm.
O novo módulo da Toshiba permitirá poupar energia, espaço e peso, bem como reduzir o ruído acústico em projetos de inversores de comutação de alta potência e controlo de motores. As aplicações alvo incluem a tração ferroviária, o controlo de motores industriais, os sistemas de energia renovável e a transmissão e distribuição de eletricidade.
A utilização de um díodo Schottky de carboneto de silício (SiC) reduz significativamente a corrente de recuperação inversa — e leva a uma diminuição correspondente da perda de ativação — em comparação com as alternativas de silício. A combinação do díodo com um design de encapsulamento interno melhorado para reduzir as indutâncias parasitas permite que o MG1500FXF1US71 opere com até 97% menos de perda de recuperação inversa do que um módulo que utiliza um díodo de silício convencional.
O MG1500FXF1US71 oferece uma tensão de isolamento nominal de 6000 VCA (rms por minuto) e suporta uma corrente de pico de desligamento do coletor de 3000 A. A dissipação de potência do coletor (a 25 °C) é de 5000 W. A gama de temperaturas de funcionamento de -40 °C a 150 °C é compatível com os ambientes de temperatura extrema característicos das aplicações alvo.
Durante o desenvolvimento do módulo híbrido de 3300V e 1500A, este foi incorporado no projeto de um inversor de tração ferroviária. Com a utilização do módulo, o tamanho total do subconjunto de controlo do motor (incluindo o sistema de refrigeração) foi reduzido em 40%. Além disso, o módulo contribuiu para a redução do ruído e para a melhoria do conforto de viagem.
