Os novos MOSFET de potência, caracterizados por uma resistência de condução (RDS(on)) muito baixa para reduzir significativamente as perdas por condução, estão disponíveis nas versões de 20 V e 30 V nas configurações de canal N e canal P. Concebidos com um controlo máximo de porta a partir de 12 Vgs, estes dispositivos são ideais para circuitos de proteção de baterias com duas células em série. O IRL6297SD oferece dois MOSFET de canal N de 20 V numa configuração de drenagem comum num encapsulamento DirectFET® Small Can compacto e termicamente eficiente.
O extenso portefólio de MOSFETs para gestão de baterias da IR está disponível em encapsulamentos standard, bem como em encapsulamento duplo DirectFET® Small Can para projetos compactos. Devido à baixa Rds(on) desta plataforma, os dispositivos podem ser utilizados para substituir MOSFETs maiores, poupando espaço na placa e reduzindo os custos do sistema.
Todos os dispositivos são compatíveis com MSL1 e RoHS e são isentos de chumbo, brometo e halogéneo.
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- Categoria: Circuitos Integrados
Dispositivos que incorporam os MOSFET de baixa tensão mais avançados da IR para aplicações de proteção de baterias de iões de lítio
A International Rectifier anunciou um amplo portfólio de dispositivos que incorporam os MOSFET de baixa tensão mais avançados da IR para aplicações de proteção de baterias de iões de lítio. Entre eles está o MOSFET DirectFET® de canal N duplo IRL6297SD.
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