A sexta geração de módulos CSTBT (Transistor Bipolar de Porta em Trincheira com Armazenamento de Carga) reduz a tensão de saturação coletor-emissor em 15% em comparação com os módulos MPD de 5ª geração e a capacitância de porta em 30% a 50%. Além disso, a temperatura máxima de junção foi elevada para +175 °C.
A nova geração de módulos IGBT MPD é compatível com os módulos IGBT de 5ª geração em termos de dimensões, formato e configuração dos pinos. A tensão de isolamento foi aumentada para 4000 V. Os módulos da nova série estão disponíveis nos modelos CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) e CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A).
A nova série de IGBTs está em total conformidade com a diretiva RoHS.
Os sistemas de geração de energia estão a migrar cada vez mais para fontes de energia naturais, como a eólica e a solar, no âmbito dos esforços para limitar as emissões de dióxido de carbono (CO2) atribuídas ao aquecimento global. A sexta geração da série MPD satisfaz a crescente necessidade de equipamentos de conversão de energia robustos e sistemas de grande escala, na ordem dos megawatts.
