O novo produto permite a montagem automatizada, ao mesmo tempo que oferece um desempenho de dissipação de calor comparável aos encapsulamentos convencionais de montagem em furo (TO-247-4L). Isto contribui para uma maior eficiência e fiabilidade nos circuitos de conversão de energia para carregadores de bordo (OBCs) e compressores elétricos utilizados em veículos elétricos (xEVs).
Nos veículos elétricos (xEVs), a adoção de dispositivos de SiC está a expandir-se para além dos inversores principais, incluindo circuitos de conversão de energia, como os computadores de bordo (OBCs) e os compressores elétricos, para melhorar a velocidade de carregamento e aumentar a autonomia. Os dispositivos de SiC são também cada vez mais utilizados em equipamentos industriais, como fontes de alimentação de servidores de alto desempenho e inversores fotovoltaicos, onde o funcionamento com elevada eficiência é essencial.
Os dispositivos SiC convencionais dependem geralmente de encapsulamentos com furos passantes (through-hole), que proporcionam uma excelente dissipação de calor durante o funcionamento a alta potência. No entanto, estes dispositivos requerem montagem manual e o seu formato dificulta a obtenção de um perfil de encapsulamento mais baixo. Neste contexto, os dispositivos SiC de montagem superficial (SMD) compatíveis com a montagem automatizada começaram a ganhar terreno. Para solucionar estes problemas, o novo TSC3PAK oferece um desempenho de dissipação de calor comparável à tecnologia through-hole, como o TO-247, num encapsulamento SMD.
O novo encapsulamento incorpora a estrutura de ranhura patenteada da ROHM para garantir uma distância de fuga líder na categoria* de 6,66 mm, permitindo acomodar uma tensão CA de pico de 1200 V num ambiente de grau de poluição 2, mantendo a compatibilidade com os produtos amplamente utilizados no mercado. Ao possibilitar um design de isolamento seguro em aplicações de alta tensão, o TSC3PAK contribui também para a redução dos custos de montagem e para o aumento da fiabilidade.
Os produtos que utilizam a nova embalagem incorporam MOSFETs de SiC de 4ª geração da ROHM, que conseguem uma baixa resistência de condução e características de comutação de alta velocidade. Como resultado, as perdas de comutação durante a conversão de energia são significativamente reduzidas, contribuindo para uma maior eficiência da aplicação e um menor consumo de energia.
A produção em série começou em junho de 2026. Os modelos de simulação dos seis novos produtos estão disponíveis no site oficial da ROHM para facilitar a avaliação rápida do projeto de circuitos. A ROHM continuará a expandir a sua gama de MOSFETs de SiC, contribuindo para um maior desempenho, tamanho reduzido e maior fiabilidade em equipamentos eletrónicos.
Exemplos de aplicação
• Sistemas automóveis: carregadores de bordo (OBCs) e compressores elétricos
• Equipamentos industriais: inversores fotovoltaicos e fontes de alimentação para servidores
Gama de produtos
