A ROHM Semiconductor anunciou a sua tecnologia de terceira geração para a família de IGBTs de 650V. Graças ao seu design avançado e características vantajosas, representa uma solução ideal para uma comutação suave e altamente eficiente em aplicações industriais e de eletrodomésticos.Os semicondutores de potência, incluindo os IGBTs, estão a ganhar aceitação devido à sua implementação em diversos tipos de aplicações de alta tensão. Espera-se que estes componentes atinjam uma elevada eficiência e fiabilidade, mantendo baixos níveis de perda. Expandindo a sua gama existente de IGBTs de alta corrente e IGBTs com menor tensão de saturação e comutação mais rápida, a ROHM apresenta agora a sua 3ª geração de IGBTs de alta eficiência. Os novos dispositivos utilizam uma estrutura de wafer mais fina, bem como tecnologias de atenuação de campo e uma estrutura de porta em trincheira proprietária, para oferecer um desempenho avançado e satisfazer a crescente procura de comutação de alta frequência.
Os novos IGBTs de 650 V de 3ª geração da ROHM, baseados numa estrutura avançada de atenuação de campo, oferecem um gradiente de concentração de portadores mais baixo na região de deriva, melhorando a distribuição de portadores. Isto permite uma redução da tensão de saturação e um aumento da velocidade de comutação, conseguindo um excelente equilíbrio entre a tensão de saturação e as perdas de corte, ao contrário das soluções convencionais.
A ROHM também implementou uma sofisticada estrutura de porta em trincheira que reduz a carga e a capacitância da porta. A dopagem e a estrutura da célula otimizadas, juntamente com um wafer 15% mais fino do que o da segunda geração, diminuem significativamente as perdas globais do dispositivo. Uma menor concentração de portadores durante a fase de condução resulta numa redução das perdas de corte. Além disso, os novos dispositivos oferecem uma comutação suave, mesmo com uma baixa resistência de porta externa. Os resultados das medições indicam baixos níveis de ruído, mesmo a velocidades de comutação aumentadas. A miniaturização e as características melhoradas reduzem a tensão de saturação em 6% e as perdas de comutação de corte em 20% em comparação com a segunda geração, melhorando assim o desempenho global do sistema.
A terceira geração da gama de IGBTs de 650V, composta pelos modelos de 30/50/80A da série RGTV e pelos modelos de 30/40/50A da série RGW, está disponível em dois encapsulamentos diferentes (TO-247N e TO-3PFM) e em duas séries otimizadas. A série RGTV foi concebida para aplicações que requerem proteção avançada contra curto-circuitos, enquanto a série RGW é especialmente indicada para conversores, oferecendo baixa carga e capacitância de porta, bem como perdas de comutação extremamente baixas. Ambas as séries incorporam também um díodo de recuperação rápida e estável para otimizar a eficiência.
