A ROHM Semiconductor anuncia uma nova série de circuitos integrados (CIs) de acionamento de gate isolados para MOSFETs de potência. O primeiro modelo desta série é o BM61S40RFV, um acionador de gate que cumpre as especificações AEC-Q100, oferece isolamento de 3,75 kV e foi concebido especificamente para os MOSFET de potência de SiC da ROHM.Este dispositivo oferece uma solução otimizada para projetos de circuitos de alimentação robustos em aplicações industriais e automóveis.
O dispositivo de potência desempenha um papel crucial no design da eletrónica de potência em sistemas de energia industriais e automóveis. Para satisfazer os requisitos específicos destas aplicações, aumentar a flexibilidade e a fiabilidade do projeto e permitir um tempo de lançamento no mercado mais rápido, a ROHM utiliza processos de microfabricação proprietários para desenvolver um transformador integrado sem núcleo para drivers de gate isolados, compactos, robustos e fiáveis, otimizados para a tecnologia SiC.
O novo dispositivo possui uma corrente de saída de 4 A, função de bloqueio Miller ativa integrada para evitar efeitos parasitas durante a ativação e proteção contra subtensão (UVLO) integrada — uma característica de segurança crucial para evitar possíveis danos no disjuntor devido à sobrecarga térmica. A integração desta função no controlador de porta otimiza o número de componentes externos e garante a conformidade com os requisitos específicos de proteção de aplicações industriais e automóveis (por exemplo, ASIL B/C/D para aplicações automóveis ou SIL2/3/4 para aplicações industriais).
Os projetistas podem otimizar o número de componentes externos e o espaço ocupado na placa de circuito impresso, reduzindo assim o esforço de projeto. Além disso, a funcionalidade integrada melhora o desempenho da fase de acionamento e a fiabilidade do sistema, com melhores níveis de EMI e efeitos de acoplamento reduzidos. A compatibilidade de pinos com os modelos BM60015FV-LB e BM60016FV-C proporciona flexibilidade de design e possibilita soluções sustentáveis e preparadas para o futuro.
Para completar o projeto do estágio de acionamento do gate, o BD7F100HFN é um CI perfeito para implementar um conversor DC/DC flyback compacto e comprovado para alimentar a secção de acionamento isolada. A ROHM oferece uma placa de avaliação pequena e testada que combina um BD7F100HFN e o novo CI de acionamento de gate BM61S40RFV.
Especificações
Tensão de isolamento: 3750Vrms
Tensão VCC1: 4,5~5,5V
Tensão VCC2: 16~24V
Tensão UVLO2: 14,5V (típica)
Temperatura de funcionamento: -40~125°C
Tempo de atraso de E/S (máx.): 60ns
Ajuste de atraso: 20ns
Corrente de saída: 4A
Invólucro: SSOP-B10W (3,50mm x 10,20mm x 1,9mm)
