O dispositivo, que mede correntes elevadas (10-100 A) utilizando um MOSFET de potência ou IGBT, requer normalmente uma resistência de grande valor, resultando em perdas de potência excessivas (10-30 W). A extração da tensão ao longo do Rds(on) interno de um MOSFET de potência ou do VCE(on) de um IGBT durante o tempo de condução do interruptor permite ao IR25750 eliminar a necessidade de grandes resistências externas de deteção de corrente e dissipadores de calor, evitando assim estas perdas excessivas de potência.
 
A entrada de acionamento de gate do IR25750 fornece a tensão de alimentação VCC ao CI e sincroniza o circuito de deteção de Rds(on) ou VCE(on) com os tempos de ativação e desativação do MOSFET ou IGBT. Aproveitando a tecnologia proprietária de alta tensão da IR, o dispositivo apresenta também uma capacidade de bloqueio de 600 V, necessária para bloquear as tensões elevadas VDS ou VCE durante o tempo de comutação de desligamento. Outras características importantes incluem uma baixa capacitância de entrada do gate, um atraso do filtro interno na condução (tipicamente 200 ns) e díodos zener de bloqueio internos de 20,8 V nos pinos GATE e CS.
 
O novo CI de deteção de corrente é um bloco funcional inovador que utiliza o Rds(on) de um MOSFET de potência ou o VCE(on) de um IGBT para medir a corrente, eliminando assim a necessidade de resistências externas de deteção de corrente. Estas características permitem um aumento significativo da eficiência e uma poupança substancial de espaço em aplicações de alta corrente, como a eletrónica de potência comutada, o controlo de motores e os equipamentos industriais.
 
Integrando proteção ESD e excelente imunidade ao bloqueio em todas as entradas e saídas para uma proteção monolítica robusta, o IR25750 está classificado para ambientes industriais e possui uma classificação de sensibilidade à humidade de nível 1 (MSL1).

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