O IRL6283M apresenta uma resistência de condução (Rds(on)) de apenas 500 µOhm (típica) num encapsulamento DirectFET® Medium Can de 30 mm², reduzindo significativamente as perdas por condução. Isto torna-o ideal para aplicações com anéis de vedação ativos e fusíveis eletrónicos (eFuse). O novo dispositivo pode operar com tensões de alimentação de 3,3 V, 5 V ou 12 V e reduz as perdas em 15% a 20 A em comparação com os melhores dispositivos PQFN do mercado no mesmo formato de 30 mm², permitindo aos projetistas reduzir o número de componentes em aplicações de alta corrente.
 
Tal como toda a família DirectFET®, o IRL6283M permite o arrefecimento pela parte superior para melhorar o desempenho elétrico e térmico, bem como uma ligação de fios condutores sem emendas para maior fiabilidade. Ademais, o encapsulamento DirectFET® cumpre todos os requisitos RoHS e a sua lista de materiais totalmente isenta de chumbo é ideal para projetos com uma longa vida útil. Outros encapsulamentos de alto desempenho no mercado incorporam uma ligação de chip semicondutor contendo chumbo, ao abrigo de uma isenção RoHS 7(a) que expira em 2016.
 
A família StrongIRFET™ da IR também inclui dispositivos PQFN padrão em encapsulamentos ecológicos e sem chumbo, com uma lista de materiais em conformidade com a RoHS.

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