O tempo de recuperação inversa (Trr) dos HSDs é minimamente afetado pela temperatura, garantindo uma comutação rápida numa ampla gama de temperaturas.
O TK5P60W5 (com Id = 4,5 A e RDS_(on) = 0,99 Ω) está alojado no encapsulamento mais pequeno da série, um encapsulamento DPAK (A-252), e consegue um tempo de recuperação inversa típico do díodo de 65 ns. A sua capacitância de entrada (Ciss₎de 370 pF e um QG de apenas 11,5 nC suportam uma operação de comutação eficiente.
O novo TK62N60W5 (_RDS(on): 0,045 Ω) é o maior MOSFET da série, alojado num encapsulamento TO-247 de 3 pinos, e suporta a maior potência de saída de Id = 61,8 A. O dispositivo atinge um Trr típico de díodo de 17 ns, C_{_iss} de 6500 pF e QG_of de 205 n.C.
Os chips DTMOS IV-H são fabricados através da tecnologia "Deep Trench" da Toshiba, que oferece uma menor resistência ON (R_{_DS(ON)}) a altas temperaturas, em comparação com os MOSFETs de superjunção convencionais. Também oferece perdas de comutação de desligamento (E_{_OSS}) reduzidas em comparação com as gerações anteriores de tecnologia. A combinação de menores aumentos de R_{_DS(ON)} a altas temperaturas e o Trr de díodo reduzido proporciona uma maior eficiência e ajuda os designers a minimizar o tamanho do sistema.
Já estão disponíveis amostras de ambos os dispositivos, estando o TK62N60W5 já programado para entrar em produção em massa e o TK5P60W5 programado para entrar em produção em massa em outubro de 2015.

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