O AUIRB24427S oferece uma corrente de saída muito elevada, superior a 6A por canal em toda a gama de temperaturas, e foi concebido para controlar gates de IGBTs e MOSFETs de grande dimensão em módulos ou encapsulamentos discretos. Devido à impedância de saída extremamente baixa do dispositivo, tanto no modo ligado como no desligado, as perdas de potência são também muito baixas, permitindo o funcionamento em ambientes severos e de alta temperatura, como os estágios de alimentação de veículos híbridos, seja como driver primário ou secundário.
Fornecido num encapsulamento PSOIC-8N simples e com dissipação de potência ultrabaixa, o AUIRB24427S resolve eficazmente o desafio de controlar IGBTs e MOSFETs de grande porte utilizados em aplicações de fontes de alimentação comutada, oferecendo uma solução mais pequena, mais simples e mais robusta do que as opções discretas atualmente disponíveis.
O AUIRB24427S é fornecido num encapsulamento PSOIC-8N com dissipação térmica melhorada, que proporciona uma dissipação de calor significativamente maior do que os encapsulamentos SMD DIL padrão, permitindo o funcionamento a temperaturas ambiente consideravelmente mais elevadas. Além disso, o estágio de saída rail-to-rail, que utiliza MOSFETs de canal P no lado de alta tensão, permite uma baixa queda de tensão interna, reduzindo a dissipação de energia. O AUIRB24427S apresenta também uma resistência máxima de saída de 650 mΩ, tanto para consumo como para alimentação, a 125 °C.
Este dispositivo automóvel homologado é isento de chumbo e está em conformidade com a diretiva RoHS.
