Os MOSFETs AUIRGP66524D0 e AUIRGF66524D0 de 24A, que utilizam a plataforma COOLiRIGBT™ da IR e são fornecidos com um díodo de recuperação suave, apresentam uma baixa tensão VCE(ON) para reduzir a dissipação de energia e uma temperatura máxima de junção de 175 °C para uma densidade de potência extremamente elevada.
 Fornecidos com terminais TO-247 de comprimento padrão e TO-247 com terminais longos, os novos dispositivos oferecem também um tempo de resposta a curto-circuitos de 6 µs a 150 °C. Uma área de operação segura em polarização inversa (SRBSOA) quadrada proporciona uma maior robustez. Os dispositivos são concebidos com um coeficiente de temperatura VCE(ON) positivo para facilitar o paralelismo em aplicações de alta potência.
 
Os MOSFET automóveis da IR são submetidos a testes de média de dispositivo dinâmicos e estáticos, bem como a inspeção visual automatizada de wafers em 100% dos casos, como parte da Iniciativa de Qualidade Automóvel da IR, que visa zero defeitos. Todos os novos dispositivos são ecológicos e montados utilizando a lista de materiais automóveis da IR, isentos de chumbo e em conformidade com a diretiva RoHS.

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