A série RGWxx65C utiliza díodos Schottky de SiC de baixa perda da ROHM no bloco de feedback do IGBT como um díodo de funcionamento livre com praticamente nenhuma energia de recuperação, resultando em perdas mínimas de comutação do díodo. Além disso, uma vez que a corrente de recuperação não tem de ser suportada pelo IGBT no modo de ativação, a perda de ativação do IGBT é significativamente reduzida. Estes efeitos combinados resultam em perdas até 67% inferiores às dos IGBT convencionais e 24% inferiores às dos MOSFET sobreconectados (MOSFETs SJ) quando utilizados em carregadores veiculares. Isto proporciona uma excelente relação custo-benefício, contribuindo também para um menor consumo energético em aplicações industriais e automóveis.
Nos últimos anos, os esforços globais para reduzir o impacto ambiental e alcançar uma sociedade neutra em carbono e descarbonizada impulsionaram um crescimento espectacular dos veículos eléctricos (xEVs). Simultaneamente, está em curso a diversificação dos semicondutores de potência utilizados em vários circuitos de inversores e conversores de veículos, necessária para a configuração de sistemas mais eficientes. Esta diversificação é acompanhada pela inovação tecnológica tanto em dispositivos de potência de SiC de perdas muito baixas (por exemplo, MOSFETs de SiC e díodos Schottky de SiC) como em dispositivos de potência de silício convencionais (por exemplo, IGBTs e MOSFETs sobreconectados).
Para oferecer soluções de energia eficazes para uma vasta gama de aplicações, a ROHM concentra-se não só no desenvolvimento de produtos e tecnologias para dispositivos de energia SiC líderes do setor, mas também em produtos de silício e circuitos controladores integrados.
Disponibilidade: Março 2021 (amostras), Dezembro 2021 (em produção em série)
Exemplosde aplicação
Carregadores de automóveis (carregadores de bordo),
conversores CC/CC para veículos,
inversores de energia solar (condicionadores de energia),
sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).
Gama de produtos IGBT híbridos [Série RGWxx65C]
Para além destes novos IGBT híbridos, oferecemos produtos que utilizam díodos de fluxo livre de silício (FRDs) como díodos de fluxo livre, bem como produtos sem díodos de fluxo livre.
Materiais de apoio ao projeto
No site da ROHM, encontrará também uma vasta gama de dados de projeto, incluindo modelos de simulação (SPICE) e notas de aplicação sobre o projeto de circuitos de acionamento, necessários para a integração e avaliação, que auxiliam a rápida introdução no mercado.
