O novo produto, "TK55S10N1", consegue uma baixa resistência de ativação ao combinar um chip da série "U-MOS VIII-H", fabricado com o mais recente processo MOS de oitava geração, com um encapsulamento "DPAK+" que utiliza conectores de cobre. O produto é particularmente adequado para aplicações automóveis, especialmente aquelas que exigem comutação de alta velocidade, como reguladores de comutação. As amostras já estão disponíveis e a produção em massa está prevista começar em Abril de 2013.
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- Categoria: Circuitos Integrados
MOSFET de potência de canal N de 100 V com baixa resistência de condução para aplicações automóveis.
A Toshiba Corporation lançou o MOSFET de 100 V com baixa resistência de condução e baixa perda de potência, que utiliza o mais recente processo MOS, como a mais recente adição à sua gama de aplicações automóveis.
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