Os MOSFET NextPower de 100 V são componentes de última geração da Nexperia, recomendados para aplicações de comutação de alta eficiência e alta fiabilidade. Com uma redução de 50% na resistência de condução (R<sub>DS(on) </sub>) e uma elevada capacidade de corrente de avalanche, são ideais para fontes de alimentação, telecomunicações e projetos industriais, sendo particularmente adequados para carregadores e adaptadores USB Type-C, bem como para adaptadores CC-CC de 48 V. Estes dispositivos apresentam baixas perdas de díodo com um fator de qualidade (Q<sub>RR </sub>) tão baixo como 50 nanocoulombs (nC), resultando menor corrente de recuperação inversa (I<sub>RR</sub>), menores tensões de pico (V<sub>pico</sub>) e redução das oscilações, permitindo um tempo morto ainda mais otimizado.
Comentários de Mike Becker, Gestor de Produto para MOSFETs de Potência: "O Qrr é um parâmetro frequentemente negligenciado, embora possa ter um efeito significativo em muitos aspetos do projeto. Um baixo volume de pico significa redução de EMI, enquanto um tempo morto otimizado aumenta ainda mais a eficiência, que é o nosso objetivo na Nexperia. Demonstramos que um baixo Qrr é benéfico para ambas as funções.".
Os novos MOSFET NextPower de 100 V estão disponíveis em três encapsulamentos: TO220 e I2PAK para montagem em furo passante, e o consagrado encapsulamento LFPAK56 (SMT). Todas as variantes de encapsulamento possuem umatemperatura máxima de junção (Tj) de 175 °C e cumprem integralmente os requisitos de gama de temperatura alargada da norma IPC9592, tornando os MOSFETs NextPower de 100 V particularmente adequados para aplicações em telecomunicações e TI.
