Estes MOSFET, encapsulados em encapsulamentos compactos SOT-1118 (UDFN6), apresentam uma excelente dissipação de calor e uma baixa resistência de drenagem [RDS(ON) = 25 mΩ (típ.) @ canal N, VGS = 4,5 V]. Estas características tornam-nos adequados para utilização como interruptores de gestão de energia e conversores CC-CC em diversos dispositivos móveis, como smartphones e tablets. Os SSM6L61NU e SSM6N61NU também podem ser utilizados em aplicações de gestão de baterias e para comutação de carga em aplicações com interfaces USB Type-C.
Com uma resistência de drenagem no canal N de 25 mΩ[1], líder no setor, os novos MOSFET contribuem para a redução da perda de energia nas fontes de alimentação e prolongam o tempo de funcionamento dos dispositivos alimentados por bateria. O SSM6L61NU é um dispositivo complementar e o SSM6N61NU é um dispositivo de canal N duplo. Quando utilizados em aplicações USB Type-C, os MOSFET SSM6L61NU e SSM6N61NU podem ser posicionados entre a tensão de saída (Vout) do circuito integrado de gestão de energia e o SoC, ou em qualquer outro local do circuito.
O design em encapsulamento único, com dimensões de apenas 2 mm x 2 mm, melhora a dissipação de potência (PD = 1 W) e reduz a área ocupada pelos MOSFETs em 50% em comparação com os encapsulamentos PS-8.
[1] Comparativamente a um N-ch de um produto encapsulado UDFN6, de acordo com um inquérito realizado pela Toshiba (em novembro de 2015).
