Os ASFETs são uma nova classe de MOSFETs otimizados para utilização em cenários de projeto específicos. Ao priorizar parâmetros críticos para a aplicação, por vezes em detrimento de outros parâmetros menos importantes no mesmo projeto, é possível alcançar novos níveis de desempenho. Os novos ASFET hot-swappable utilizam uma combinação da mais recente tecnologia de silício da Nexperia e encapsulamento com clipes de cobre para aumentar significativamente a área de operação segura (SOA) e minimizar a área ocupada na placa de circuito impresso (PCB).
Anteriormente, os MOSFET sofriam com o efeito Spirito, em que o desempenho do SOA (amplificador de potência de saída) caía rapidamente devido à instabilidade térmica a tensões mais elevadas. A robusta tecnologia SOA melhorada da Nexperia elimina o efeito Spirito, aumentando o SOA em 166% a 50V em comparação com as gerações anteriores em D2PAK.
Outro avanço importante é a inclusão da especificação SOA de 125 °C na folha de dados. De acordo com Mike Becker, Diretor Internacional de Marketing de Produto da Nexperia: “Tradicionalmente, a SOA é especificada apenas para 25 °C, o que significa que os projetistas precisam de reduzir a potência para operação em ambientes quentes. Os nossos novos ASFETs de troca a quente incluem uma especificação SOA de 125 °C, eliminando esta tarefa demorada e confirmando o excelente desempenho da Nexperia mesmo a temperaturas elevadas.”
Os novos ASFET hot-swappable PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) e PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) estão encapsulados no LFPAK56E, compatível com a norma Power-SO8. A construção exclusiva com grampos de cobre internos do encapsulamento melhora o desempenho térmico e elétrico, além de reduzir significativamente a área ocupada. Os novos produtos LFPAK56E medem apenas 5 mm x 6 mm x 1,1 mm, representando uma redução de 80% na área ocupada na placa de circuito impresso e de 75% na altura do dispositivo, respetivamente, em comparação com os D2PAK da geração anterior. Os dispositivos apresentam também uma temperatura máxima de junção de 175 °C, cumprindo as normas IPC9592 para aplicações industriais e de telecomunicações.
Becker acrescenta: "Outra vantagem é a melhoria na distribuição de corrente em aplicações de alta potência que exigem múltiplos MOSFETs hot-swap em paralelo, o que aumenta a fiabilidade e reduz o custo do sistema. A Nexperia é amplamente reconhecida como líder de mercado em MOSFETs hot-swap. Com estes ASFETs mais recentes, elevámos o padrão mais uma vez."
Os novos ASFET de troca a quente são os mais recentes dispositivos fabricados na nova unidade de produção de wafers de 8 polegadas da Nexperia em Manchester, Reino Unido, com capacidade pronta para encomendas em grande volume.
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Poderá também ver esta nova tecnologia em ação no evento Power Live da Nexperia, de 21 a 23 de setembro.
