Para satisfazer estes requisitos, a Microchip Technology Inc. anunciou hoje a expansão do seu portfólio de carboneto de silício com uma família de módulos de potência MOSFET de carboneto de silício de 1700 V de alta eficiência e alta fiabilidade
A tecnologia de carboneto de silício de 1700 V da Microchip é uma alternativa aos IGBT de silício. A tecnologia anterior exigia que os projetistas fizessem compromissos em termos de desempenho e utilizassem topologias complexas devido às limitações de frequência de comutação causadas pelas perdas nos IGBTs de silício. Além disso, o tamanho e o peso dos sistemas eletrónicos de potência eram aumentados pelos transformadores, cujo tamanho só podia ser reduzido com o aumento da frequência de comutação.
A nova família de produtos de carboneto de silício permite aos engenheiros levar os seus IGBT a um novo patamar, utilizando topologias de dois níveis com menos componentes, eficiência significativamente maior e técnicas de controlo mais simples. Sem limitações de comutação, é possível reduzir consideravelmente o tamanho e o peso das unidades de conversão de energia, libertando espaço para mais postos de carregamento, capacidade para passageiros e carga, ou para aumentar a autonomia e o tempo de operação de veículos pesados, autocarros elétricos e outros veículos comerciais movidos a bateria — tudo isto com um custo total do sistema mais baixo.
“Os desenvolvedores de sistemas no segmento dos transportes são constantemente solicitados a fabricar veículos que possam acomodar mais pessoas e mercadorias, mas as suas dimensões não podem ser maiores”, disse Leon Gross, vice-presidente da unidade de negócio de produtos discretos da Microchip.
“Uma das melhores formas de ajudar a alcançar este objetivo é através de reduções drásticas no tamanho e no peso dos equipamentos de conversão de energia que utilizam dispositivos de potência de carboneto de silício de alta tensão. Estas mesmas vantagens para o transporte são benéficas para muitas outras aplicações industriais.”.
Entre as suas principais características está a estabilidade do óxido de porta, dado que a Microchip não observou alterações na tensão de limiar mesmo após 100.000 impulsos em testes de comutação indutiva repetitiva sem bloqueio (R-UIS). Os testes R-UIS demonstraram também uma excelente resistência à avalanche e estabilidade paramétrica, bem como estabilidade do óxido de porta e um funcionamento fiável ao longo da vida útil do sistema.
O díodo estrutural livre de degradação elimina a necessidade de um díodo externo com MOSFETs de carboneto de silício. Graças à sua capacidade de suportar curto-circuitos, comparável à dos IGBTs, pode superar transitórios elétricos perigosos. Uma curva RDS(on) mais plana em relação à temperatura de junção entre 0 e 175 °C permite que o sistema de potência opere com uma estabilidade significativamente maior do que outros MOSFET de carboneto de silício, que são mais sensíveis à temperatura.
A Microchip facilita a adoção da sua tecnologia com uma família de drivers de porta digitais programáveisAgileSwitch® e uma vasta gama de encapsulamentos discretos e módulos de potência disponíveis em formatos standard e personalizáveis. Estes drivers de porta ajudam a acelerar o desenvolvimento de carboneto de silício, desde o laboratório até à produção.
Outros produtos de carboneto de silício da Microchip incluem famílias de MOSFETs de 700 V e 1200 V e díodos Schottky, fornecidos sem encapsulamento, bem como em diversos encapsulamentos discretos e módulos de potência. A Microchip está a unificar a sua produção interna de dispositivos de carboneto de silício sem encapsulamento com encapsulamentos de potência de baixa indutância e drivers de porta digitais programáveis, permitindo aos designers alcançar os produtos finais mais eficientes, compactos e fiáveis.
Entre as soluções da empresa disponíveis como sistemas completos, encontra-se também um catálogo completo de microcontroladores, circuitos analógicos e periféricos, tecnologia de comunicação, redes sem fios e segurança.
Ferramentas de desenvolvimento
O simulador analógico MPLAB® Mindi ™ da Microchip , compatível com os modelos de simulação de carboneto de silício SPICE, fornece aos desenvolvedores de sistemas os recursos necessários para simular as características de comutação antes de iniciar o projeto de hardware. A Ferramenta de Configuração Inteligente (ICT) permite aos projetistas desenvolver modelos eficientes de drivers de gate de carboneto de silício para a família AgileSwitch® de drivers de gate digitais programáveis da Microchip .
Disponibilidade
Os MOSFET de carboneto de silício de 1700 V e os módulos de potência da Microchip, discretos e sem encapsulamento, já estão disponíveis para encomenda em diversas opções de encapsulamento.
Para mais informações sobre preços ou outros assuntos, contacte um representante de vendas da Microchip ou um distribuidor autorizado, ou visite o website da empresa. Para adquirir os produtos mencionados, contacte um distribuidor autorizado da Microchip.
