O novo encapsulamento oferece uma solução de meia-ponte num único dispositivo, ocupando menos 30% de área na placa de circuito impresso (PCB) em comparação com os MOSFETs duplos para topologias de controlo de motores trifásicos, eliminando as pistas na PCB e permitindo também uma inspeção ótica automatizada (AOI) simplificada durante a produção. A meia-ponte LFPAK56D utiliza os processos de montagem em grande volume já existentes do LFPAK56D, cuja fiabilidade já foi comprovada na indústria automóvel. O design do encapsulamento utiliza fios flexíveis para melhorar a fiabilidade global, e uma ligação interna por clipes de cobre entre os MOSFETs simplifica o layout da PCB e oferece uma solução plug-and-play com uma capacidade de corrente excecional de 98 A.
Normalmente, num arranjo de meia-ponte, a ligação na PCB entre a fonte do MOSFET Hs (lado alto) e o dreno do MOSFET Ls (lado baixo) pode gerar uma indutância parasita significativa. No entanto, com a sua ligação interna por clipes, o encapsulamento de meia-ponte LFPAK56D consegue uma indutância 60% inferior.
Os MOSFET de meia-ponte LFPAK56D recentemente lançados são os modelos BUK7V4R2-40H e BUK9V13-40H. Ambos utilizam a robusta tecnologia de processo de silício Trench 9 de nível automóvel, têm uma classificação de 40 V e foram verificados com o dobro da especificação automóvel AEC-Q101 em testes importantes. A resistência RDS(on) dos dispositivos mede 4,2 mΩ (BUK7V4R2) e 13 mΩ (BUK9V13).
O encapsulamento de meia-ponte LFPAK56D da Nexperia, com classificação AEC-Q101, é adequado para uma vasta gama de aplicações automóveis trifásicas, incluindo bombas de água e combustível, controlo de motores e conversão de energia CC/CC. Ocupa menos 30% de área na placa de circuito impresso e tem menos 60% de indutância parasita para aplicações de comutação de alto desempenho. Esta nova tecnologia já deu provas de sucesso com o projeto e o empenho de importantes clientes da indústria automóvel.

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