O progresso tecnológico dos equipamentos industriais tornou-se vertiginosamente rápido, assim como as exigências de desempenho dos componentes necessários.

Nestas condições, o novo relé PhotoMOS® AQV209G da Panasonic Industry deve ser considerado um avanço indiscutível em termos de comutação de semicondutores de alta potência, superando notavelmente as especificações da geração anterior numa capacidade de comutação 10 vezes superior.

Combinando tecnologia comprovada com materiais de última geração e isolamento galvânico entre os circuitos de entrada e saída, o relé semicondutor fotoacoplado atinge uma potência de saída incomparável de 1200 V a 0,75 A. Operando continuamente e com uma vida útil ilimitada, está preparado para cargas CA e CC.
Apesar deste aumento de desempenho, este mais recente membro da família PhotoMOS® ainda se apresenta num pequeno encapsulamento DIP padrão de 6 pinos, graças à sua resistência de condução notavelmente baixa, normalmente de 1 ohm.

Baseado numa tecnologia à prova de futuro, o AQV209G é um substituto realmente interessante para muitas aplicações convencionais de relés reed ou como substituto para os tipos que contêm mercúrio.

Garantindo uma comutação silenciosa, rápida e sem oscilações, será uma escolha recomendada para uma vasta gama de aplicações industriais modernas, equipamentos de teste e medição, controlos ou módulos de E/S.

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